[發(fā)明專利]一種單晶爐氣密性的檢測方法

在審

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• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN114486107A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設計）人: 馬博;周澤;王林;張國棟;烏恩;郭志榮;王建平;阿古達木;鐘旭
• 申請（專利權(quán)）人: 內(nèi)蒙古中環(huán)協(xié)鑫光伏材料有限公司
• 主分類號: G01M3/26
• 分類號: G01M3/26;C30B15/00
• 代理公司: 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發(fā)明揭露了一種單晶爐氣密性的檢測方法，包括關(guān)閉單晶爐的進氣閥與排氣閥；對單晶爐進行抽真空，且持續(xù)時間為T1，完畢后檢測單晶爐內(nèi)的實際壓強；對比單晶爐內(nèi)的實際壓強變化量與標準壓強變化量,若單晶爐內(nèi)的實際壓強變化量≥標準壓強變化量，則保持單晶爐閉氣，且持續(xù)時間為T2，完畢后再次檢測單晶爐內(nèi)的實際壓強；再對比、判斷單晶爐內(nèi)的實際壓強是否增大，如果否，則判定該單晶爐氣密性良好，如果是，則判定該單晶爐氣密性差；如此，本發(fā)明采用的檢測方法能準確判斷單晶爐氣密性能的好壞，進而保護熱場，保證拉制單晶的質(zhì)量，保證產(chǎn)品的合格率，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光伏產(chǎn)品制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種單晶爐氣密性的檢測方法。

背景技術(shù)

單晶爐為制備單晶晶棒的主要設備，單晶爐氣密性差會嚴重影響單晶晶棒的成晶情況。若單晶爐氣密性差，在單晶拉制過程中，空氣會進入單晶爐，而進入單晶爐的空氣會與熱場在高溫狀態(tài)下發(fā)生反應，從而損壞熱場，從而導致生產(chǎn)成本的增加；此外，空氣中的氧氣會參與單晶拉制過程，從而造成單晶氧含量偏高，進而誘發(fā)單晶微缺陷，影響單晶品質(zhì)，影響產(chǎn)品合格率，進一步導致生成成本的增加。

為避免上述情況發(fā)生，單晶爐每次重新開爐時，在清理好單晶爐、裝好原輔料、調(diào)試好設備，準備化料之前，都會檢查單晶爐的氣密性。當前行業(yè)內(nèi)檢查單晶爐氣密性的方法是給單晶爐抽真空到極限，若單晶爐在這段時間內(nèi)能被抽到極限壓強，即單晶爐內(nèi)的壓強能足夠低，則判定單晶爐的氣密性良好；若單晶爐內(nèi)的壓強在該時間內(nèi)不能達到足夠低，則判定單晶爐的氣密性差。

采用該種檢測方法，對于漏氣情況嚴重的單晶爐，該方法能檢測出來，但是單晶爐在微弱漏氣的情況下，若給單晶爐抽真空足夠長時間，也能將爐內(nèi)的壓強抽到足夠低，即是說當前傳統(tǒng)的檢測方法不能準確地判斷單晶爐氣密性能的好壞。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述缺點，提供一種單晶爐氣密性的檢測方法，其能準確判斷單晶爐氣密性能的好壞。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：

一種單晶爐氣密性的檢測方法，包括

S1.關(guān)閉單晶爐的進氣閥與排氣閥；

S2.對單晶爐進行抽真空，且持續(xù)時間為T1，完畢后檢測單晶爐內(nèi)的實際壓強；

S3.對比單晶爐內(nèi)的實際壓強變化量與標準壓強變化量,若單晶爐內(nèi)的實際壓強變化量≥標準壓強變化量，則直接執(zhí)行步驟S4；

S4.保持單晶爐閉氣，且持續(xù)時間為T2，完畢后再次檢測單晶爐內(nèi)的實際壓強；

S5.對比、判斷單晶爐內(nèi)的實際壓強是否增大，如果否，則判定該單晶爐氣密性良好；如果是，則判定單晶爐氣密性差。

在上述步驟S3中，若單晶爐內(nèi)的實際壓強變化量＜標準壓強變化量時，則執(zhí)行步驟S6，所述步驟S6包括:

S61.繼續(xù)抽真空，且持續(xù)時間為T3,完畢后檢測單晶爐內(nèi)的實際壓強；

S62.對比單晶爐內(nèi)的實際壓強變化量與標準壓強變化量，若單晶爐內(nèi)的實際壓強變化量≥標準壓強變化量，則再依次執(zhí)行步驟S4、S5。

在所述步驟S62中，所述實際壓強變化量為T1+T3時間內(nèi)單晶爐內(nèi)的實際壓強變化量，對應的，所述標準壓強變化量為T1+T3時間內(nèi)的標準壓強變化量；或，所述實際壓強變化量為T3時間內(nèi)單晶爐內(nèi)的實際壓強變化量，對應的，所述標準壓強變化量為T3時間內(nèi)的標準壓強變化量。

在所述步驟S62中，若單晶爐內(nèi)的實際壓強變化量＜標準壓強變化量時，則判定該單晶爐的氣密性差。

所述T3≥T1。

所述T3設置為6-12min。

T3設置為7、8、9、10或11min。