[發(fā)明專利]半導(dǎo)體氮化鈍化方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011259486.2
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN113013166B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·A·本森;S·博爾薩里;V·奈爾;芮瑩;S·幕克吉
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發(fā)明描述與半導(dǎo)體氮化鈍化相關(guān)的方法、設(shè)備及系統(tǒng)。一種實(shí)例方法包含在半導(dǎo)體制造工藝中對晶片上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行干式蝕刻工藝。所述方法進(jìn)一步包含對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行干式剝離工藝。所述方法進(jìn)一步包含對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行第一濕式剝離清潔工藝。所述方法進(jìn)一步包含對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行第二濕式剝離清潔工藝。所述方法進(jìn)一步包含對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行氮化鈍化以避免所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的氧化。所述方法進(jìn)一步包含對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行間隔物材料沉積。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體裝置及方法，且更特定來說，涉及半導(dǎo)體氮化鈍化。

背景技術(shù)

存儲器裝置通常被提供為計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路。存在許多不同類型的存儲器，包含隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)、同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲器(FeRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲器(ReRAM)及快閃存儲器等等。一些類型的存儲器裝置可為非易失性存儲器(例如，ReRAM)且可用于需要高存儲器密度、高可靠性及低功率消耗的各種各樣的電子應(yīng)用。與非易失性存儲器單元(例如，快閃存儲器單元)相反，易失性存儲器單元(例如，DRAM單元)需要電力來保留其經(jīng)存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，經(jīng)由刷新過程)，而非易失性存儲器單元在不存在電力的情況下保留其經(jīng)存儲狀態(tài)。然而，例如DRAM單元的各種易失性存儲器單元可比例如快閃存儲器單元的各種非易失性存儲器單元更快地操作(例如，編程、讀取、擦除等)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及用于半導(dǎo)體氮化鈍化的方法。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，一種用于氮化鈍化的方法包括：在半導(dǎo)體制造工藝中對晶片上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行干式蝕刻工藝；對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行干式剝離工藝；對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行第一濕式剝離清潔工藝；對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行第二濕式剝離清潔工藝；對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行氮化鈍化以避免所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的氧化；及對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行間隔物材料沉積。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，一種用于氮化鈍化的方法包括：在半導(dǎo)體制造工藝中對晶片上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行干式蝕刻工藝；對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行干式剝離工藝；對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行第一濕式剝離清潔工藝；對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行氮化鈍化以避免所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的氧化；對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二濕式剝離清潔工藝；及對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行間隔物材料沉積。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，一種用于氮化氧化的方法包括：在半導(dǎo)體制造工藝中對晶片上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行：等離子體干式蝕刻工藝、等離子體干式剝離工藝、第一氮化鈍化、第一濕式剝離清潔工藝、第二氮化鈍化及第二濕式剝離清潔工藝；及對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行間隔物材料沉積。

附圖說明

圖1說明根據(jù)本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例的存儲器單元的實(shí)例橫截面?zhèn)纫晥D。

圖2A到3C說明根據(jù)本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)例的用于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)氮化鈍化的半導(dǎo)體制造序列的實(shí)例中的存儲器裝置的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一部分的橫截面視圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例的用于實(shí)施實(shí)例半導(dǎo)體制造工藝的計(jì)算系統(tǒng)的功能框圖。

圖5是包含具有根據(jù)本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例形成的存儲器單元的至少一個(gè)存儲器陣列的計(jì)算系統(tǒng)的功能框圖。

具體實(shí)施方式