[發明專利]半導體氮化鈍化方法

有效

• 申請號: 202011259486.2
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN113013166B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: R·A·本森;S·博爾薩里;V·奈爾;芮瑩;S·幕克吉
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種方法，其包括：

在半導體制造工藝中對晶片上的半導體結構執行干式蝕刻工藝；

對所述半導體結構執行干式剝離工藝；

對所述半導體結構執行第一濕式剝離清潔工藝；

對所述半導體結構執行第二濕式剝離清潔工藝；

對所述半導體結構執行氮化鈍化以避免所述半導體結構的氧化；及

對所述半導體結構執行間隔物材料沉積。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括由氧化物材料形成所述間隔物材料沉積。

3.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括由硅酸鹽材料形成所述半導體結構。

4.根據權利要求3所述的方法，其進一步包括通過執行所述氮化鈍化來保護所述硅酸鹽材料免于氧化。

5.根據權利要求3所述的方法，其進一步包括氮化由所述硅酸鹽材料形成在半導體支柱之間的殘留物。

6.根據權利要求1所述的方法，其中執行所述間隔物沉積包含在所述半導體結構上形成隔離層。

7.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括形成到感測線接觸件的導電路徑。

8.根據權利要求7所述的方法，其進一步包括將所述感測線接觸件的電阻率改進達介于4％到15％之間的范圍。

9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述半導體結構形成為介于100埃與800埃之間的范圍的高度。

10.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述半導體結構形成為介于50埃與150埃之間的范圍的寬度。

11.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括形成所述間隔物材料沉積以包含分子氫H₂。

12.一種方法，其包括：

在半導體制造工藝中對晶片上的半導體結構進行干式蝕刻工藝；

對所述半導體結構進行干式剝離工藝；

對所述半導體結構進行第一濕式剝離清潔工藝；

對所述半導體結構進行氮化鈍化以避免所述半導體結構的氧化；

對所述半導體結構進行第二濕式剝離清潔工藝；及

對所述半導體結構進行間隔物材料沉積。

13.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括執行所述氮化鈍化以保護所述半導體結構免于原生氧化。

14.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括使保護所述半導體結構免于短路改進達介于40％到80％之間的范圍。

15.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括用等離子體形成所述干式蝕刻工藝及所述干式剝離工藝。

16.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括由二氮烯等離子體形成所述干式蝕刻剝離清潔工藝。

17.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括由遠程等離子體氮化RPN形成所述氮化鈍化。

18.一種方法，其包括：

在半導體制造工藝中對晶片上的半導體結構執行：等離子體干式蝕刻工藝、等離子體干式剝離工藝、第一氮化鈍化、第一濕式剝離清潔工藝、第二氮化鈍化及第二濕式剝離清潔工藝；及

對所述半導體結構執行間隔物材料沉積。

19.根據權利要求18所述的方法，其進一步包括由非導電材料形成所述間隔物材料沉積。