[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法在審
| 申請號: | 202011258884.2 | 申請日: | 2020-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN112825303A | 公開(公告)日: | 2021-05-21 |
| 發明(設計)人: | 小原隆憲 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
本發明涉及基板處理裝置和基板處理方法。能夠減少基板處理裝置的動作且縮短基板處理所花費的時間。基板處理裝置具備:保持部,保持基板;液供給部,對由保持部保持的狀態下的基板的主表面按順序供給第1處理液和不同于第1處理液的第2處理液;摩擦體,在第1處理液和第2處理液的供給過程中,與基板的主表面接觸并摩擦主表面;移動部,使摩擦體在基板的主表面處的接觸位置在與基板的主表面平行的方向且互相交叉的第1軸方向和第2軸方向上移動;以及控制部,控制液供給部和移動部,以在第1處理液的供給過程中,使摩擦體的接觸位置向第1軸方向的一方向移動,在接下來的第2處理液的供給過程中,使摩擦體的接觸位置向第1軸方向的另一方向移動。
技術領域
本公開涉及基板處理裝置和基板處理方法。
背景技術
專利文獻1所記載的基板處理裝置進行送入處理和下表面清洗處理。在送入處理過程中,利用兩個吸附墊保持基板的下表面的周緣部。在下表面清洗處理過程中,首先,使保持著基板的吸附墊向X軸正方向移動(專利文獻1的圖6),接著,將清洗體向基板的下表面按壓(專利文獻1的圖7)。之后,交替地重復進行使兩個吸附墊向X軸負方向移動的動作和使清洗體在兩個吸附墊間向Y軸正方向或Y軸負方向移動的動作(專利文獻1的圖8)。由此,清洗基板的下表面的中央區域。
專利文獻1:日本特開2019-106531號公報
發明內容
本公開的一技術方案提供能夠減少基板處理裝置的動作且能夠縮短基板處理所花費的時間的技術。
本公開的一技術方案的基板處理裝置具備:
保持部,其用于保持基板;
液供給部,其對由所述保持部保持的狀態下的所述基板的主表面,按順序供給第1處理液和不同于所述第1處理液的第2處理液;
摩擦體,其在所述第1處理液和所述第2處理液的供給過程中,與所述基板的所述主表面接觸,并摩擦所述主表面;
移動部,其使所述摩擦體在所述基板的所述主表面處的接觸位置在與所述基板的所述主表面平行的方向且是互相交叉的第1軸方向和第2軸方向上移動;以及
控制部,其控制所述液供給部和所述移動部,以在所述第1處理液的供給過程中,使所述摩擦體的所述接觸位置向所述第1軸方向的一方向移動,在接下來的所述第2處理液的供給過程中,使所述摩擦體的所述接觸位置向所述第1軸方向的另一方向移動。
根據本公開的一技術方案,能夠減少基板處理裝置的動作,而能夠縮短基板處理所花費的時間。
附圖說明
圖1是表示一實施方式的基板處理裝置的俯視圖。
圖2是表示圖1的旋轉卡盤、吹拂器以及液供給部的立體圖。
圖3是表示一實施方式的基板處理方法的流程圖。
圖4是表示圖3的S2的一例的流程圖。
圖5是表示圖3的S4的一例的流程圖。
圖6A是表示圖3的S1的完成時的基板處理裝置的剖視圖。
圖6B是透視基板而表示圖6A的局部的俯視圖。
圖7A是表示圖4的S21的開始時的基板處理裝置的剖視圖。
圖7B是透視基板而表示圖7A的局部的俯視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





