[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

在審

• 申請號: 202011258884.2
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN112825303A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 小原隆憲
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種基板處理裝置，其中，

該基板處理裝置具備：

保持部，其用于保持基板；

液供給部，其對由所述保持部保持的狀態下的所述基板的主表面，按順序供給第1處理液和不同于所述第1處理液的第2處理液；

摩擦體，其在所述第1處理液和所述第2處理液的供給過程中，與所述基板的所述主表面接觸，并摩擦所述主表面；

移動部，其使所述摩擦體在所述基板的所述主表面處的接觸位置在與所述基板的所述主表面平行的方向且是互相交叉的第1軸方向和第2軸方向上移動；以及

控制部，其控制所述液供給部和所述移動部，以在所述第1處理液的供給過程中，使所述摩擦體的所述接觸位置向所述第1軸方向的一方向移動，在接下來的所述第2處理液的供給過程中，使所述摩擦體的所述接觸位置向所述第1軸方向的另一方向移動。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述保持部與所述基板的所述主表面接觸。

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其中，

所述基板的所述主表面是所述基板的下表面，

所述保持部具有：第1保持部，其吸附所述基板的所述下表面的第1區域并對其進行保持，該第1區域包含所述基板的所述下表面的中心；以及第2保持部，其吸附所述基板的所述下表面的第2區域并對其進行保持，該第2區域包含所述基板的所述下表面的周緣且與所述第1區域的周緣相接，

所述控制部在利用所述第2保持部保持所述基板的狀態下，控制所述液供給部和所述移動部，以在所述第1處理液的供給過程中，使所述摩擦體的所述接觸位置在所述第1區域內向所述第1軸方向的一方向移動，在接下來的所述第2處理液的供給過程中，使所述摩擦體的所述接觸位置在所述第1區域內向所述第1軸方向的另一方向移動。

4.根據權利要求3所述的基板處理裝置，其中，

該基板處理裝置還具備中轉構件，該中轉構件在所述第1保持部的周圍升降，而從外部的輸送裝置接收所述基板，并將接收到的所述基板向所述第2保持部交接，

所述移動部具有：第1移動部，其使所述第2保持部在所述第1軸方向上移動；以及第2移動部，其使所述摩擦體在所述第2軸方向上移動，

所述控制部在利用所述第2保持部保持所述基板的狀態下，控制所述液供給部和所述第1移動部，以在所述第1處理液的供給過程中，使所述第2保持部向使所述基板的中心遠離所述第1保持部的中心的方向移動，在所述第2處理液的供給過程中，使所述第2保持部向使所述基板的中心靠近所述第1保持部的中心的方向移動。

5.根據權利要求4所述的基板處理裝置，其中，

該基板處理裝置還具備氣體噴出環，該氣體噴出環在所述第1處理液的供給過程中，在所述第1保持部的周圍以朝向所述基板的所述下表面的方式形成環狀的氣簾。

6.根據權利要求4或5所述的基板處理裝置，其中，

該基板處理裝置還具備：升降機構，其使所述第1保持部和所述第2保持部相對地升降，并將所述基板從所述第2保持部向所述第1保持部交接；以及旋轉機構，其使所述第1保持部旋轉，

所述控制部在利用所述第1保持部保持所述基板且利用所述旋轉機構使所述第1保持部旋轉的狀態下，控制所述液供給部和所述第2移動部，以在所述第1處理液的供給過程中，使所述摩擦體的所述接觸位置遍及整個所述第2區域地移動。

7.根據權利要求6所述的基板處理裝置，其中，

所述液供給部包含對所述基板的上表面供給處理液的上噴嘴，

所述控制部在使所述摩擦體的所述接觸位置遍及整個所述第2區域地移動的期間，控制所述液供給部，而對所述基板的所述上表面供給處理液。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的基板處理裝置，其中，

所述液供給部具有作為所述第1處理液的化學溶液的噴出口和作為所述第2處理液的沖洗液的噴出口，

所述化學溶液的噴出口配置在比所述沖洗液的噴出口靠下方的位置。