[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011257564.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112420946A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張樂陶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
一種顯示面板,包括一陣列基板,還包括:陽極,設(shè)置于陣列基板上并與陣列基板電性連接;犧牲層,設(shè)置于陽極的表面上,以暴露陽極的部分表面;以及,疏水層,設(shè)置于犧牲層上,并覆蓋犧牲層及暴露的陣列基板;其中,疏水層具有多個(gè)開口以暴露陽極的部分表面。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)技術(shù)是顯示面板行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì),相比液晶顯示器(Liquid Crystal Display),LCD而言,OLED具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化、色域更廣、響應(yīng)時(shí)間更快等優(yōu)點(diǎn)。AMOLED技術(shù)目前已量產(chǎn)的是底發(fā)光的WOLED,但該技術(shù)采用蒸鍍方法制備OLED器件,對(duì)有機(jī)發(fā)光材料的浪費(fèi)極大;且WOLED需要彩膜層(CF)來濾色才能得到RGB,因而能耗相比傳統(tǒng)LCD并不占優(yōu);此外,開口率低是底發(fā)光結(jié)構(gòu)的先天缺陷,不利于高分辨顯示應(yīng)用。相比底發(fā)光的WOLED,頂發(fā)光的噴墨打印(IJP)技術(shù)對(duì)原材料利用超過80%,無需CF進(jìn)行濾色即可發(fā)出RGB色光,且頂發(fā)光有利于提高開口率。正常的頂發(fā)光IJP技術(shù)是在TFT基板上依次制備平坦層(PLN)、LED陽極,以及Bank層。
請(qǐng)參閱圖1,圖1是一種常規(guī)顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。所述常規(guī)顯示面板包括一陣列基板100;設(shè)置于所述陣列基板100一側(cè)表面上的至少一陽極200;設(shè)置于所述陽極200背離所述陣列基板100一側(cè)表面上的疏水層400,且所述疏水層400覆蓋所述陣列基板100以及部分所述陽極200,并用以暴露所述陽極200的部分表面。其中,所述陣列基板100包括一襯底101、設(shè)置于所述襯底101上的復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管102、覆蓋所述復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管102的一鈍化層103,以及設(shè)置于所述鈍化層103背離所述襯底101一側(cè)上的一平坦層104,所述陽極200設(shè)置于所述平坦層104上并與所述薄膜晶體管102電性連接。
目前Bank層主要采用含F(xiàn)基團(tuán)來降低材料表面能,從而使得疏水性變強(qiáng)。Bank圖形化之后,在陽極發(fā)光區(qū)表面會(huì)有一些光阻殘留,導(dǎo)致打印時(shí)墨水的鋪展性變差。一般會(huì)用氧化性氣體的等離子體處理方法將陽極發(fā)光區(qū)表面的光阻殘留去除,同時(shí)增大陽極表面的功函數(shù);但由于Bank表面疏水層很薄,且處理過后Bank材料的表面能急劇增大,導(dǎo)致Bank丟失疏水性。
因此,亟需提供一種新的顯示面板及其制備方法、顯示裝置,以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,通過在陽極與疏水層之間配置犧牲層,利用犧牲層分隔陽極與疏水層,從而解決陽極上有疏水材料殘留的問題,改善打印墨水的鋪展性。
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板,包括一陣列基板,所述顯示面板還包括:陽極,所述陽極設(shè)置于所述陣列基板上并與所述陣列基板電性連接;犧牲層,所述犧牲層設(shè)置于所述陽極的表面上,以暴露所述陽極的部分表面;以及,疏水層,所述疏水層設(shè)置于所述犧牲層上,并覆蓋所述犧牲層及暴露的所述陣列基板;其中,所述疏水層具有多個(gè)開口以暴露所述陽極的部分表面。
在一些實(shí)施例中,所述疏水層的材料為疏水性有機(jī)光阻。
在一些實(shí)施例中,所述疏水性有機(jī)光阻為聚酰亞胺系、亞克力系中的任一種。
在一些實(shí)施例中,所述犧牲層包括在不損傷所述疏水層的水溶性或有機(jī)溶液中可緩慢溶解的材料。
在一些實(shí)施例中,所述犧牲層的材料為氧化鎢。
在一些實(shí)施例中,所述陽極的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅及氧化鎢中的至少一種與金屬的組合。
本申請(qǐng)還提供一種顯示裝置,包括如上所述的顯示面板。
本申請(qǐng)還提供一種如上所述的顯示面板的制備方法,所述制備方法包括如下步驟:
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





