[發(fā)明專利]一種基于面積比的剔除細小殘留物的膠粘薄膜褶皺缺陷檢測方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011256012.2
• 申請日: 2020-11-11
• 公開（公告）號: CN112651923A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 北京平恒智能科技有限公司
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06T7/13;G06T7/136;G06T7/187;G06T7/194;G06T7/62
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及缺陷檢測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于面積比的剔除細小殘留物的膠粘薄膜褶皺缺陷檢測方法。膠粘薄膜類產(chǎn)品一般具有很強的反光特性，所以使用同軸光作為褶皺缺陷檢測的光源，降低反光性，突出褶皺缺陷。經(jīng)過不同顏色光源的測試，紅色同軸光效果最佳。本發(fā)明采用紅色同軸光拍攝膠粘薄膜圖片，該膠粘薄膜表面存在干擾褶皺缺陷檢測的細白塑料毛，細白塑料毛是模切機未切干凈所致，屬物料殘留。細小白色物料殘留不屬于缺陷，但自適應閾值分割方法也會將其提取出來。由于細小白色殘留物料亮色部分面積超過了其所在的連通域面積的90%，所以本發(fā)明提出了一種基于面積比的剔除細小殘留物的膠粘薄膜褶皺缺陷檢測方法，剔除細小白色殘留物料所在的連通域，只保留褶皺所在的連通域。避免了細小白色殘留物料的干擾，精準檢測膠粘薄膜褶皺。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及缺陷檢測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于面積比的剔除細小殘留物的膠粘薄膜褶皺缺陷檢測方法。

背景技術(shù)

膠粘薄膜產(chǎn)品在電子行業(yè)應用非常廣泛，品類繁多，形狀各異，缺陷種類也數(shù)不勝數(shù)。其產(chǎn)品質(zhì)量的檢測是目前行業(yè)的難點，褶皺是該類產(chǎn)品缺陷中的一種，市場對膠粘薄膜的褶皺缺陷檢測的自動化、智能化需求非常大。

膠粘薄膜的褶皺缺陷的檢測，目前大部分是靠人眼判定，對于細小的膠粘薄膜人眼是很難看清褶皺缺陷的。需要工作人員在燈光下，改變膠粘薄膜的角度仔細觀察，才能發(fā)現(xiàn)輕微的褶皺缺陷。一卷產(chǎn)品上膠粘薄膜有上千片，靠人眼判定，耗時非常大。而且燈光對人眼具有一定的傷害，長期對著燈光檢測缺陷，會引發(fā)眼部疾病。

本發(fā)明提出的一種基于面積比的剔除細小殘留物的膠粘薄膜褶皺缺陷檢測方法，可以實現(xiàn)自動化、智能化的需求。解決每天數(shù)十萬片的膠粘薄膜褶皺缺陷檢測問題，提升效率，增加效益。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足和行業(yè)需求，提供一種基于面積比的剔除細小殘留物的膠粘薄膜褶皺缺陷檢測方法，解決靠人眼每天判定數(shù)十萬片的膠粘薄膜缺陷的行業(yè)痛點，實現(xiàn)自動化、智能化的檢測，提高效率。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所涉及的一種基于面積比的剔除細小殘留物的膠粘薄膜褶皺缺陷檢測方法，其包括如下步驟：

步驟1：以紅色同軸光作為光源，獲取帶有褶皺缺陷的膠粘薄膜圖片，此圖片為單通道灰度圖；

步驟2：所述膠粘薄膜褶皺缺陷檢測方法，提取感興趣區(qū)域，包括褶皺、細小白色殘留物料、以及膠粘薄膜輪廓；

步驟3：所述膠粘薄膜褶皺缺陷檢測方法，剔除膠粘薄膜輪廓，只保留褶皺、細小白色殘留物料區(qū)域；

步驟4：所述膠粘薄膜褶皺缺陷檢測方法，提取褶皺，剔除細小白色殘留物料。

進一步地，所述步驟2中：

步驟2.1：將帶有褶皺缺陷的膠粘薄膜圖片通過sobel算子進行邊緣提取，sobel算子可以識別像素突變的部分，即褶皺、細小白色殘留物料、以及膠粘薄膜輪廓這三部分感興趣區(qū)域；

步驟2.2：對步驟2.1所得灰度圖進行二值化，得到褶皺、細小白色殘留物料、以及膠粘薄膜輪廓這三部分的二值圖。

步驟2.3：對步驟2.2所得二值圖進行形態(tài)學開運算，使用半徑為1像素的圓形模板，剔除干擾像素點。

進一步地，所述步驟3中：

步驟3.1：對步驟1所得帶有褶皺缺陷的膠粘薄膜灰度圖進行固定閾值分割，剔除背景區(qū)域，得到膠粘薄膜區(qū)域的二值圖。

步驟3.2：對步驟3.1所得二值圖進行形態(tài)學腐蝕運算，采用7像素半徑的圓形模板，可以腐蝕掉膠粘薄膜二值圖的邊緣部分。

步驟3.3：步驟2所得二值圖包含褶皺、細小白色殘留物料、以及膠粘薄膜輪廓這三部分，步驟3.2所得二值圖是去除了邊緣輪廓的膠粘薄膜區(qū)域。對這兩者取交集，剔除步驟2中膠粘薄膜輪廓，保留褶皺和細小白色殘留物料區(qū)域。

更進一步地，所述步驟4中：