[發明專利]非真空坩堝下降法生長鋰鉈共摻碘化鈉閃爍晶體的方法在審
| 申請號： | 202011255588.7 | 申請日： | 2020-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN114481320A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發明（設計）人： | 吳云濤;史堅;李煥英;任國浩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B11/02;G01T1/202 |
| 代理公司： | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;鄭優麗 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空 坩堝 下降 生長 鋰鉈共摻 碘化鈉 閃爍 晶體 方法 | ||
1.一種非真空坩堝下降法生長鋰鉈共摻碘化鈉閃爍晶體的方法，其特征在于，所述鋰鉈共摻碘化鈉閃爍晶體的組成通式為(Na1-a-b6LiaTlb)(I1-a-b+Xa+b)，其中X為鹵族元素，選自F、Cl、Br、I中的至少一種，0＜a≤0.2，0＜b≤0.01；
所述非真空坩堝下降法生長鋰鉈共摻碘化鈉閃爍晶體的方法包括：
（1）選用NaI、6LiX和 TlX作為原料，再與脫氧劑混合后，置于坩堝中并密封；
（2）將密封后的坩堝豎直置于晶體生長爐的中間位置，然后升溫至700～1000℃并保溫一定時間，使原料完全熔融；
（3）設置固液界面的溫度梯度為10～50 ℃/cm，坩堝下降速度為0.1～10mm/小時，開始鋰鉈共摻碘化鈉閃爍晶體的生長；
（4）生長結束后，降至室溫。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述原料的純度不低于99.9wt%。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述脫氧劑為炭黑、無定型碳、納米碳、石墨粉和聚四氟乙烯中的至少一種。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述脫氧劑占NaI、6LiX和TlX的總質量的比不超過5:1000。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其特征在于，所述坩堝的底部具有固定籽晶的毛細管、圓錐底或平底；所述坩堝的材質為鉑金坩堝；所述坩堝的形狀為圓柱形、方柱形、或圓錐形。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于，以1～20 ℃/小時的降溫速率降至室溫。
7.一種根據權利要求1-6中任一項所述方法生長的鋰鉈共摻碘化鈉閃爍晶體。
8.一種權利要求7所述的鋰鉈共摻碘化鈉閃爍晶體在中子探測、X射線探測或γ射線探測中的應用。
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