[發明專利]半導體廢棄封裝材的二氧化硅再生方法在審
| 申請號： | 202011254808.4 | 申請日： | 2020-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN112499636A | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發明（設計）人： | 謝雅敏;周信輝;謝興文;張沛翎 | 申請（專利權）人： | 成信實業股份有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/18 | 分類號： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人： | 馬鑫 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 廢棄 封裝 二氧化硅 再生 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體廢棄封裝材的二氧化硅再生方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將廢棄封裝材進行破碎，破碎后的尺寸為1.0mm～5.0mm；
(2)將步驟(1)所得的封裝材碎片置于承載盤，置入一烘箱進行裂化處理，使熱固性樹脂產生缺陷或裂隙，或使熱固性樹脂與二氧化硅粉體的接口產生裂隙或分離，處理溫度為250～350℃，處理時間為10～60分鐘；
(3)將步驟(2)裂化處理所得的封裝材碎片，置入加熱分解槽，再加入分解液進行分解，封裝材碎片與分解液的重量比例為1：1～1：2，加熱溫度為40℃～80℃，攪拌時間為1～3小時；
(4)將步驟(3)已分解完成的封裝材及分解液，以第一壓濾機過濾，得到二氧化硅濾餅，將該濾餅置入清洗槽以純水進行攪拌清洗，清洗時間為15～30分鐘；
(5)將步驟(4)清洗完成的二氧化硅以第二壓濾機過濾，得到白色的二氧化硅濾餅；
(6)將步驟(5)所得的二氧化硅濾餅以100℃～150℃烘干60～200分鐘，得到塊狀二氧化硅；
(7)將步驟(6)所得的塊狀二氧化硅進行破碎及分級，得到純度大于99％的高純度二氧化硅粉體。
2.如權利要求1所述的半導體廢棄封裝材的二氧化硅再生方法，其特征在于，該分解液由無機酸以及去離子水組成，該無機酸為鹽酸、硝酸、硫酸或磷酸，濃度為10％～35％v/v。
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