[發明專利]芯片脫膜組件和芯片脫膜裝置在審
| 申請號: | 202011253051.7 | 申請日: | 2020-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN114496834A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發明(設計)人: | 史海濤;林耀劍;劉碩;楊丹鳳;陳雪晴;劉彬潔 | 申請(專利權)人: | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G01L13/00;G01L19/08 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈曉敏 |
| 地址: | 214430 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 組件 裝置 | ||
1.一種芯片脫膜組件,包括:頂針座、多根頂針,所述頂針座內設有多個頂針腔,每個所述頂針腔內設有一頂針裝配件以及設于所述頂針裝配件上的一所述頂針,其特征在于,
所述頂針座內設有一填充有液體的腔體,所述腔體位于所述頂針腔下方且連通每個所述頂針腔;
所述頂針裝配件下端面延伸至所述液體內,與所述頂針腔內壁面密封接觸,并能沿所述頂針腔上下運動;
自然狀態下,各所述頂針上端面平齊。
2.根據權利要求1所述的芯片脫膜組件,其特征在于,所述頂針裝配件包括活塞和抵接于所述活塞上端面的頂針固定件,所述頂針固定設于所述頂針固定件內,所述活塞下端面延伸至所述液體內,且所述活塞與所述頂針腔內壁面密封接觸。
3.根據權利要求2所述的芯片脫膜組件,其特征在于,所述頂針固定件上端面設有固定槽,所述頂針下端卡接于所述固定槽內,所述頂針固定件下端面與所述活塞固定連接。
4.根據權利要求1所述的芯片脫膜組件,其特征在于,所述芯片脫膜裝置還包括覆蓋所述頂針座的頂針蓋,其上設有供所述頂針伸出的頂針孔。
5.根據權利要求1所述的芯片脫膜組件,其特征在于,所述頂針腔于所述頂針座內呈矩陣式分布,或呈中心放射狀分布。
6.一種芯片脫膜裝置,其特征在于,所述芯片脫膜裝置包括拾取裝置,控制模塊以及如權利要求1-5任一項所述的芯片脫膜組件,所述芯片脫膜組件位于所述拾取裝置投影下方,所述控制模塊控制所述頂針座上下往復運動。
7.根據權利要求6所述的芯片脫膜裝置,其特征在于,所述芯片脫膜裝置還包括設于所述腔體內的壓力傳感器,所述壓力傳感器通信連接于所述控制模塊,被配置用于檢測所述腔體內的壓力。
8.根據權利要求7所述的芯片脫膜裝置,其特征在于,所述控制模塊被配置用于控制所述壓力傳感器檢測脫膜結束后所述腔體內的壓力值,并在壓力值未遭到釋放后輸出報警信號。
9.根據權利要求7所述的芯片脫膜裝置,其特征在于,所述控制模塊被配置用于控制所述壓力傳感器檢測每次所述頂針座向上運動時所述腔體內的壓力值,并在計算當前壓力值與上一次壓力值差值超過預設的壓力差閾值后輸出報警信號。
10.根據權利要求7所述的芯片脫膜裝置,其特征在于,所述控制模塊被配置用于控制所述壓力傳感器檢測每次所述頂針座向上運動時所述腔體內的壓力值,并在當前壓力值超過預設的最大壓力值后輸出報警信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





