[發(fā)明專利]一種存儲芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011251334.8
• 申請日: 2020-11-11
• 公開（公告）號: CN112366138B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 秦玲
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南中科存儲科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/18
• 代理公司: 深圳泛航知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44867
• 代理人: 鄧愛軍

本發(fā)明涉及一種存儲芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法包括以下步驟：在第一載板上設(shè)置第一封裝層、第一線路層、第一存儲芯片、控制芯片和第二存儲芯片；接著在所述第一封裝層上設(shè)置第二封裝層、第二線路層、第三存儲芯片、緩存芯片和第四存儲芯片；接著在所述第二封裝層上設(shè)置第三封裝層、第三線路層、第五存儲芯片和第六存儲芯片；接著在所述第三封裝層上設(shè)置第四封裝層、第四線路層、第七存儲芯片和第八存儲芯片；接著去除所述第一載板，接著在各封裝層中形成暴露各存儲芯片的背面的多個第一凹槽，并在所述第一封裝層中形成暴露所述第一線路層的多個第二凹槽，接著在所述第一、第二凹槽中分別形成散熱柱和導(dǎo)電柱。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲元件封裝領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著科技的不斷發(fā)展，人們對消費類電子產(chǎn)品的需求也越來越高，電子產(chǎn)品中的存儲芯片是一個關(guān)鍵的核心零部件，傳統(tǒng)的存儲器封裝構(gòu)件中，由于單個芯片自身存儲容量限制，存儲器封裝構(gòu)件內(nèi)部需要堆疊很多層芯片，以滿足更高容量的存儲要求，8層、16層及32層已經(jīng)十分常見。由于現(xiàn)有的存儲器封裝構(gòu)件內(nèi)部需要多層芯片進(jìn)行堆疊封裝，而在現(xiàn)有的封裝制程中，堆疊層數(shù)的增多，制程風(fēng)險也會明顯的增加，易發(fā)生裂片、傾斜或者位置偏移等問題。因此，如何改進(jìn)現(xiàn)有的制程工藝，提高封裝結(jié)構(gòu)的集成度同時確保存儲器封裝構(gòu)件的良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種存儲芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的一種存儲芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

(1)提供第一載板，在所述第一載板上設(shè)置第一封裝層，在所述第一封裝層上旋涂PEDOT:PSS水溶液、銀納米線懸浮液以及氧化石墨烯水溶液以形成所述第一線路層，接著在所述第一封裝層上間隔的設(shè)置第一存儲芯片、控制芯片和第二存儲芯片，使得所述第一存儲芯片、所述控制芯片和所述第二存儲芯片均電連接至所述第一線路層；

(2)接著在所述第一封裝層上設(shè)置第二封裝層，所述第二封裝層覆蓋所述第一、第二存儲芯片以及所述控制芯片，接著在所述第二封裝層中形成多個第一通孔，多個所述第一通孔暴露所述第一線路層，接著在所述第一通孔中沉積導(dǎo)電材料以形成第一導(dǎo)電通孔，接著在所述第二封裝層上旋涂PEDOT:PSS水溶液、銀納米線懸浮液以及氧化石墨烯水溶液以形成所述第二線路層，所述第二線路層與所述第一導(dǎo)電通孔電連接，接著在所述第二封裝層上間隔的設(shè)置第三存儲芯片、緩存芯片和第四存儲芯片，其中，所述緩存芯片形成于所述控制芯片的正上方，所述第三存儲芯片設(shè)置于所述第一存儲芯片的上方且所述第三存儲芯片相對于所述第一存儲芯片向所述第一載板的中部偏移一距離，所述第四存儲芯片設(shè)置于所述第二存儲芯片的上方且所述第四存儲芯片相對于所述第二存儲芯片向所述第一載板的中部偏移一距離；

(3)接著在所述第二封裝層上設(shè)置第三封裝層，所述第三封裝層覆蓋所述第三、第四存儲芯片以及所述緩存芯片，接著在所述第三封裝層中形成多個第二通孔，多個所述第二通孔暴露所述第二線路層，接著在所述第二通孔中沉積導(dǎo)電材料以形成第二導(dǎo)電通孔，接著在所述第三封裝層上旋涂PEDOT:PSS水溶液、銀納米線懸浮液以及氧化石墨烯水溶液以形成所述第三線路層，所述第三線路層與所述第二導(dǎo)電通孔電連接，接著在所述第三封裝層上間隔的設(shè)置第五存儲芯片和第六存儲芯片，其中，所述第五存儲芯片設(shè)置于所述第三存儲芯片的上方且所述第五存儲芯片相對于所述第三存儲芯片向所述第一載板的中部偏移一距離，所述第六存儲芯片設(shè)置于所述第四存儲芯片的上方且所述第六存儲芯片相對于所述第四存儲芯片向所述第一載板的中部偏移一距離；