[發明專利]一種存儲芯片封裝結構及其制備方法

有效

• 申請號: 202011251334.8
• 申請日: 2020-11-11
• 公開（公告）號: CN112366138B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 秦玲
• 申請（專利權）人: 湖南中科存儲科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/18
• 代理公司: 深圳泛航知識產權代理事務所(普通合伙) 44867
• 代理人: 鄧愛軍

1.一種存儲芯片封裝結構的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)提供第一載板，在所述第一載板上設置第一封裝層，在所述第一封裝層上旋涂PEDOT:PSS水溶液、銀納米線懸浮液以及氧化石墨烯水溶液以形成第一線路層，接著在所述第一封裝層上間隔的設置第一存儲芯片、控制芯片和第二存儲芯片，使得所述第一存儲芯片、所述控制芯片和所述第二存儲芯片均電連接至所述第一線路層；

(2)接著在所述第一封裝層上設置第二封裝層，所述第二封裝層覆蓋所述第一、第二存儲芯片以及所述控制芯片，接著在所述第二封裝層中形成多個第一通孔，多個所述第一通孔暴露所述第一線路層，接著在所述第一通孔中沉積導電材料以形成第一導電通孔，接著在所述第二封裝層上旋涂PEDOT:PSS水溶液、銀納米線懸浮液以及氧化石墨烯水溶液以形成第二線路層，所述第二線路層與所述第一導電通孔電連接，接著在所述第二封裝層上間隔的設置第三存儲芯片、緩存芯片和第四存儲芯片，其中，所述緩存芯片形成于所述控制芯片的正上方，所述第三存儲芯片設置于所述第一存儲芯片的上方且所述第三存儲芯片相對于所述第一存儲芯片向所述第一載板的中部偏移一距離，所述第四存儲芯片設置于所述第二存儲芯片的上方且所述第四存儲芯片相對于所述第二存儲芯片向所述第一載板的中部偏移一距離；

(3)接著在所述第二封裝層上設置第三封裝層，所述第三封裝層覆蓋所述第三、第四存儲芯片以及所述緩存芯片，接著在所述第三封裝層中形成多個第二通孔，多個所述第二通孔暴露所述第二線路層，接著在所述第二通孔中沉積導電材料以形成第二導電通孔，接著在所述第三封裝層上旋涂PEDOT:PSS水溶液、銀納米線懸浮液以及氧化石墨烯水溶液以形成第三線路層，所述第三線路層與所述第二導電通孔電連接，接著在所述第三封裝層上間隔的設置第五存儲芯片和第六存儲芯片，其中，所述第五存儲芯片設置于所述第三存儲芯片的上方且所述第五存儲芯片相對于所述第三存儲芯片向所述第一載板的中部偏移一距離，所述第六存儲芯片設置于所述第四存儲芯片的上方且所述第六存儲芯片相對于所述第四存儲芯片向所述第一載板的中部偏移一距離；

(4)接著在所述第三封裝層上設置第四封裝層，所述第四封裝層覆蓋所述第五、第六存儲芯片，接著在所述第四封裝層中形成多個第三通孔，多個所述第三通孔暴露所述第三線路層，接著在所述第三通孔中沉積導電材料以形成第三導電通孔，接著在所述第四封裝層上旋涂PEDOT:PSS水溶液、銀納米線懸浮液以及氧化石墨烯水溶液以形成第四線路層，所述第四線路層與所述第三導電通孔電連接，接著在所述第四封裝層上間隔的設置第七存儲芯片和第八存儲芯片，其中，所述第七存儲芯片設置于所述第五存儲芯片的上方且所述第七存儲芯片相對于所述第五存儲芯片向所述第一載板的中部偏移一距離，所述第八存儲芯片設置于所述第六存儲芯片的上方且所述第八存儲芯片相對于所述第六存儲芯片向所述第一載板的中部偏移一距離，接著在所述第四封裝層上設置第五封裝層；

(5)接著去除所述第一載板，接著在所述第二、第三、第四、第五封裝層中形成暴露所述第一至第八存儲芯片的背面的多個第一凹槽，并在所述第一封裝層中形成暴露所述第一線路層的多個第二凹槽，接著在多個所述第一凹槽中分別形成多個散熱柱，接著在多個所述第二凹槽中分別形成多個導電柱。

2.根據權利要求1所述的存儲芯片封裝結構的制備方法，其特征在于：在所述步驟(1)中，旋涂的PEDOT:PSS水溶液中PEDOT:PSS的濃度為20-50mg/ml，旋涂的銀納米線懸浮液中銀納米線的濃度20-30mg/ml，銀納米線的平均直徑為10-30納米，所述銀納米線的平均長度為5-10微米，旋涂的氧化石墨烯水溶液中氧化石墨烯的濃度為3-5mg/ml，所述氧化石墨烯的直徑為10-20微米。

3.根據權利要求1所述的存儲芯片封裝結構的制備方法，其特征在于：在所述步驟(2)中，旋涂的PEDOT:PSS水溶液中PEDOT:PSS的濃度為20-50mg/ml，旋涂的銀納米線懸浮液中銀納米線的濃度30-40mg/ml，銀納米線的平均直徑為20-50納米，所述銀納米線的平均長度為9-16微米，旋涂的氧化石墨烯水溶液中氧化石墨烯的濃度為2-4mg/ml，所述氧化石墨烯的直徑為15-30微米，且所述步驟(2)中的銀納米線的平均直徑以及平均長度均大于所述步驟(1)中的銀納米線的平均直徑以及平均長度，且所述步驟(2)中的氧化石墨烯的直徑大于所述步驟(1)中的氧化石墨烯的直徑。