[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 202011251097.5
• 申請日: 2020-11-11
• 公開（公告）號: CN112071751B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 陽清;崔助鳳;金起凖
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 朱艷

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，其至少包括：

提供一半導體襯底，所述半導體襯底包括第一半導體有源區；

形成一多晶硅層于所述半導體襯底上，并在所述多晶硅層上定義柵極圖形，所述柵極圖形在所述半導體襯底上的正投影與所述第一半導體有源區重疊部分正上方的多晶硅層為第一柵極區，所述柵極圖形在所述半導體襯底上的正投影與第二半導體有源區重疊部分正上方的多晶硅層為第二柵極區；

在所述多晶硅層上形成第三光阻層和第四光阻層，所述第三光阻層覆蓋所述第一柵極區，所述第四光阻層覆蓋所述第二柵極區；

根據所述第三光阻層和所述第四光阻層蝕刻所述多晶硅層，以形成柵極，形成所述柵極后去除所述第三光阻層和所述第四光阻層；

形成第一光阻層和第二光阻層于所述柵極和所述半導體襯底上，所述第一光阻層覆蓋所述第一半導體有源區和所述第一半導體有源區正上方的所述柵極；

以所述第一光阻層和所述第二光阻層為掩膜，對所述柵極注入離子；

去除所述第一光阻層和所述第二光阻層，對所述柵極進行退火。

2.根據權利要求1所述的一種半導體器件的制造方法，其特征在于：所述半導體襯底還包括第二半導體有源區，且所述第二半導體有源區和所述第一半導體有源區為不同類型的有源區。

3.根據權利要求2所述的一種半導體器件的制造方法，其特征在于：所述半導體襯底還包括第一溝槽隔離結構，所述第一溝槽隔離結構位于所述第一半導體有源區相對于所述第二半導體有源區的另一側。

4.根據權利要求2所述的一種半導體器件的制造方法，其特征在于：所述半導體襯底還包括第二溝槽隔離結構，所述第二溝槽隔離結構位于所述第一半導體有源區和所述第二半導體有源區之間。

5.根據權利要求4所述的一種半導體器件的制造方法，其特征在于：所述半導體襯底還包括第三溝槽隔離結構，所述第三溝槽隔離結構位于所述第二半導體有源區相對于所述第一半導體有源區的另一側。

6.根據權利要求5所述的一種半導體器件的制造方法，其特征在于：所述第二光阻層覆蓋所述第二半導體有源區、所述第三溝槽隔離結構和部分所述第二溝槽隔離結構。

7.根據權利要求1所述的一種半導體器件的制造方法，其特征在于：在形成所述多晶硅層于所述半導體襯底上之前，還包括在所述半導體襯底上形成一氧化層。