[發明專利]一種超細納米晶鎢材料的制備方法有效
| 申請號： | 202011250237.7 | 申請日： | 2020-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN112725748B | 公開（公告）日： | 2022-09-09 |
| 發明（設計）人： | 陳樹群;王金淑;周文元 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58;C22F1/18;C21D1/74;C21D1/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 張立改 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超細納米晶鎢材料的制備方法，其特征在于，以非晶材料晶化理論為基礎，采用反應磁控濺射結合氫氣熱處理法，包括以下步驟：
1)將襯底基片利用酒精進行超聲清洗，使用氮氣吹干后安裝在基盤上，并覆蓋掩模版；
2)將濺射靶材安裝在靶槍上使用，調整靶材與基片間的距離；
3)向濺射室內通入氬氣和微量氧氣，對靶材進行預濺射，去除靶材表層的氧化物雜質；
4)移除基片上端的掩模版，在基片表面沉積薄膜；
5)將覆膜后的基片進行切割，放入管式熱處理中，在氫氣氣氛下進行退火處理；
濺射過程中襯底基片的溫度為室溫；
所用濺射靶材為純鎢靶材；
靶材與基片間距離為12cm；
所述步驟3)中，氬氣和氧氣的流量比例分別為48.5：1.5，預濺射功率為150W，預濺射時間為5-10min；
所述步驟4)中，磁控濺射薄膜時真空度為(7.0-7.5)×10-3Toor，濺射功率為150W，沉積時間為90min；
所述步驟5)中，氫氣退火薄膜時溫度為400℃，時間為1h。
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