[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202011249564.0
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN113314528A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 陸則憲;江庭瑋;蘇品岱;陳蓉萱;李慧文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

第一多柵極場效應晶體管(FET)，設置在襯底上方，所述第一多柵極場效應晶體管包括在第一水平面上延伸的第一有源區；以及

第二多柵極場效應晶體管，設置在所述第一多柵極場效應晶體管上方，所述第二多柵極場效應晶體管包括在平行于所述第一水平面的第二水平面上延伸的第二有源區；

其中，當從垂直于所述第一水平面的豎直方向觀察時，所述第一有源區和所述第二有源區不完全重疊。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一有源區和所述第二有源區具有彼此不同的導電類型。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二有源區在所述第一水平面上的第一投影與所述第一有源區部分地重疊。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二有源區在所述第一水平面上的第一投影與所述第一有源區不重疊。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一有源區的第一面積小于所述第二有源區的第二面積。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一有源區的第一面積等于所述第二有源區的第二面積。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一有源區的第一面積大于所述第二有源區的第二面積。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一多柵極場效應晶體管還包括設置在所述第一有源區上方的第一金屬接觸區，和設置在所述第一有源區上方的第二金屬接觸區；并且所述第二多柵極場效應晶體管還包括設置在所述第二有源區上方的第三金屬接觸區，和設置在所述第二有源區上方的第四金屬接觸區；其中，當從豎直方向觀察時，所述第一金屬接觸區和所述第三金屬接觸區不完全重疊，并且當從豎直方向觀察時，所述第一金屬接觸區和所述第四金屬接觸區不完全重疊。

9.一種半導體器件，包括：

襯底；

第一多柵極場效應晶體管，設置在所述襯底上方，所述第一多柵極場效應晶體管包括第一有源區，所述第一有源區在平行于所述襯底的第一水平面上延伸，并且在所述襯底上具有所述第一有源區的第一投影；以及

第二多柵極場效應晶體管，設置在所述第一多柵極場效應晶體管上方，所述第二多柵極場效應晶體管包括第二有源區，所述第二有源區在平行于所述襯底的第二水平面上延伸，并且在所述襯底上具有所述第二有源區的第二投影；

其中，所述第一投影和所述第二投影不完全重疊。

10.一種用于形成半導體器件的方法，包括：

形成設置在襯底上方的第一多柵極場效應晶體管，所述第一多柵極場效應晶體管包括在第一水平面上延伸的第一有源區；以及

形成設置在所述第一多柵極場效應晶體管上方的第二多柵極場效應晶體管，所述第二多柵極場效應晶體管包括在平行于所述第一水平面的第二水平面上延伸的第二有源區；其中，當從垂直于所述第一水平面的豎直方向觀察時，所述第一有源區和所述第二有源區不完全重疊。