[發明專利]一種三維存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 202011249304.3
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112331655B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 趙利俊;吳振國;陸聰;宋之洋;軒攀登
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 尹秀

本申請實施例公開了一種三維存儲器及其制作方法，該三維存儲器包括：層疊的存儲堆疊結構和連接結構，以及貫穿所述連接結構，并延伸至所述存儲堆疊結構中的多個柵線縫隙，所述多個柵線縫隙包括：多個第一柵線縫隙和至少一個第二柵線縫隙，所述第一柵線縫隙平行于第一方向，所述第二柵線縫隙垂直于所述第一方向，從而利用所述第一柵線縫隙減小所述存儲堆疊結構中在垂直于所述第一方向上的應力積累，利用所述第二柵線縫隙減小所述存儲堆疊結構中在平行于所述第一方向上的應力積累，從而減小所述連接結構中第一位線接觸孔和所述存儲堆疊結構中第一溝道孔的套刻誤差，提高所述3D NAND存儲器的良率。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，尤其涉及一種三維存儲器以及一種三維存儲器的制作方法。

背景技術

隨著對高度集成電子裝置的持續重視，半導體市場對以更高的速度和更低的功率運行并具有增大的器件密度的半導體存儲器件存在持續的需求。為了達到這一目的，已經發展了具有更小尺寸的器件和具有以水平和垂直陣列布置的晶體管單元的多層器件。3DNAND是業界所研發的一種新型的閃存類型，通過垂直堆疊多層數據存儲單元來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制，其具備卓越的精度，支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達數倍的存儲設備，進而有效降低成本和能耗，能全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。

目前3D NAND存儲器中包括存儲堆疊結構以及位于所述存儲堆疊結構上方的連接結構，其中，所述存儲堆疊結構中具有多個溝道孔，所述溝道孔中形成有存儲單元，所述連接結構中具有多個位線接觸孔，所述連接結構中的位線接觸孔與所述存儲堆疊結構中的溝道孔對接，以便于實現位于所述溝道孔中的存儲單元中數據的讀取。但是，現有3D NAND存儲器中連接結構中的位線接觸孔和所述存儲堆疊結構中的溝道孔之間的套刻誤差較大，影響所述3D NAND存儲器的良率。

發明內容

為解決上述技術問題，本申請實施例提供了一種三維存儲器以及一種三維存儲器的制作方法，減小連接結構中位線接觸孔和存儲堆疊結構中溝道孔的套刻誤差，提高所述3D NAND存儲器的良率。

為解決上述問題，本申請實施例提供了如下技術方案：

一種三維存儲器，包括：

層疊的存儲堆疊結構和連接結構，其中，所述存儲堆疊結構中具有多個第一溝道孔和多個第一虛設溝道孔，其中，所述第一溝道孔具有存儲功能，所述第一虛設溝道孔不具有存儲功能，所述連接結構中具有多個第一位線接觸孔，所述第一位線接觸孔與所述第一溝道孔對接；

貫穿所述連接結構，并延伸至所述存儲堆疊結構中的多個柵線縫隙，所述多個柵線縫隙包括：多個第一柵線縫隙和至少一個第二柵線縫隙，所述第一柵線縫隙平行于第一方向，所述第二柵線縫隙平行于第二方向，所述第二方向與所述第一方向垂直；

其中，所述存儲堆疊結構包括多個指狀結構，所述第一方向平行于所述存儲堆疊結構中所述指狀結構的延伸方向。

可選的，在所述第一方向上，所述第二柵線縫隙位于所述第一虛設溝道孔所在區域。

可選的，所述指狀結構包括存儲區和信號傳輸區；所述指狀結構包括至少一個半指狀結構，所述信號傳輸區包括至少一個子信號傳輸區，所述子信號傳輸區與所述半指狀結構一一對應；

所述半指狀結構包括：在所述第一方向上，位于所述第二柵線縫隙一側的第一存儲子平面以及位于所述第二柵線縫隙另一側的第二存儲子平面；

所述子信號傳輸區包括：在所述第一方向上，位于所述第二柵線縫隙一側的第一子信號傳輸區、位于所述第二柵線縫隙另一側的第二子信號傳輸區以及連接所述第一子信號傳輸區和所述第二子信號傳輸區的信號連接區。