[發(fā)明專利]一種三維存儲器及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011249304.3 | 申請日: | 2020-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN112331655B | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 趙利俊;吳振國;陸聰;宋之洋;軒攀登 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/11519 | 分類號: | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹秀 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 三維 存儲器 及其 制作方法 | ||
1.一種三維存儲器,其特征在于,包括:
層疊的存儲堆疊結(jié)構(gòu)和連接結(jié)構(gòu),其中,所述存儲堆疊結(jié)構(gòu)中具有多個第一溝道孔和多個第一虛設溝道孔,其中,所述第一溝道孔具有存儲功能,所述第一虛設溝道孔不具有存儲功能,所述連接結(jié)構(gòu)中具有多個第一位線接觸孔,所述第一位線接觸孔與所述第一溝道孔對接;
貫穿所述連接結(jié)構(gòu),并延伸至所述存儲堆疊結(jié)構(gòu)中的多個柵線縫隙,所述多個柵線縫隙包括:多個第一柵線縫隙和至少一個第二柵線縫隙,所述第一柵線縫隙平行于第一方向,所述第二柵線縫隙平行于第二方向,所述第二方向與所述第一方向垂直;
其中,所述存儲堆疊結(jié)構(gòu)包括多個指狀結(jié)構(gòu),所述第一方向平行于所述存儲堆疊結(jié)構(gòu)中所述指狀結(jié)構(gòu)的延伸方向;
所述指狀結(jié)構(gòu)包括存儲區(qū)和信號傳輸區(qū);
所述指狀結(jié)構(gòu)包括至少一個半指狀結(jié)構(gòu),所述信號傳輸區(qū)包括至少一個子信號傳輸區(qū),所述子信號傳輸區(qū)與所述半指狀結(jié)構(gòu)一一對應;
所述半指狀結(jié)構(gòu)包括:在所述第一方向上,位于所述第二柵線縫隙一側(cè)的第一存儲子平面以及位于所述第二柵線縫隙另一側(cè)的第二存儲子平面;
所述子信號傳輸區(qū)包括:在所述第一方向上,位于所述第二柵線縫隙一側(cè)的第一子信號傳輸區(qū)、位于所述第二柵線縫隙另一側(cè)的第二子信號傳輸區(qū)以及連接所述第一子信號傳輸區(qū)和所述第二子信號傳輸區(qū)的信號連接區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器,其特征在于,在所述第一方向上,所述第二柵線縫隙位于所述第一虛設溝道孔所在區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器,其特征在于,還包括:貫穿所述存儲堆疊結(jié)構(gòu)中所述信號傳輸區(qū)的至少一個選通開關(guān)縫隙,所述指狀結(jié)構(gòu)被所述至少一個選通開關(guān)縫隙分割成至少兩個半指狀結(jié)構(gòu),所述至少兩個半指狀結(jié)構(gòu)沿所述第二方向排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維存儲器,其特征在于,所述指狀結(jié)構(gòu)包括在所述第二方向上相鄰的第一半指狀結(jié)構(gòu)和第二半指狀結(jié)構(gòu),所述第一半指狀結(jié)構(gòu)的信號連接區(qū)和所述第二半指狀結(jié)構(gòu)的信號連接區(qū)通過所述選通開關(guān)縫隙相鄰。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維存儲器,其特征在于,所述第一半指狀結(jié)構(gòu)的信號連接區(qū)在所述第二方向上的寬度取值范圍為110nm-150nm,包括端點值;
所述第二半指狀結(jié)構(gòu)的信號連接區(qū)在所述第二方向上的寬度取值范圍為110nm-150nm,包括端點值。
6.一種三維存儲器的制作方法,其特征在于,包括:
制作存儲堆疊結(jié)構(gòu),所述存儲堆疊結(jié)構(gòu)中具有多個第一溝道孔和多個第一虛設溝道孔,其中,所述第一溝道孔具有存儲功能,所述第一虛設溝道孔不具有存儲功能;
在所述存儲堆疊結(jié)構(gòu)上方形成連接結(jié)構(gòu),所述連接結(jié)構(gòu)中具有多個第一位線接觸孔,所述第一位線接觸孔與所述第一溝道孔對接;
形成貫穿所述連接結(jié)構(gòu),并延伸至所述存儲堆疊結(jié)構(gòu)中的多個柵線縫隙,所述多個柵線縫隙包括:多個第一柵線縫隙和至少一個第二柵線縫隙,所述第一柵線縫隙平行于第一方向,所述第二柵線縫隙平行于第二方向,所述第二方向垂直于所述第一方向;
其中,所述存儲堆疊結(jié)構(gòu)包括多個指狀結(jié)構(gòu),所述第一方向平行于所述存儲堆疊結(jié)構(gòu)中所述指狀結(jié)構(gòu)的延伸方向;
所述指狀結(jié)構(gòu)包括存儲區(qū)和信號傳輸區(qū);
所述指狀結(jié)構(gòu)包括至少一個半指狀結(jié)構(gòu),所述信號傳輸區(qū)包括至少一個子信號傳輸區(qū),所述子信號傳輸區(qū)與所述半指狀結(jié)構(gòu)一一對應;
所述半指狀結(jié)構(gòu)包括:在所述第一方向上,位于所述第二柵線縫隙一側(cè)的第一存儲子平面以及位于所述第二柵線縫隙另一側(cè)的第二存儲子平面;
所述子信號傳輸區(qū)包括:在所述第一方向上,位于所述第二柵線縫隙一側(cè)的第一子信號傳輸區(qū)、位于所述第二柵線縫隙另一側(cè)的第二子信號傳輸區(qū)以及連接所述第一子信號傳輸區(qū)和所述第二子信號傳輸區(qū)的信號連接區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法,其特征在于,在所述第一方向上,所述第二柵線縫隙位于所述第一虛設溝道孔所在區(qū)域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





