[發明專利]一種側壁保護工藝制備高精度銀電極的方法

有效

• 申請號: 202011248264.0
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112366040B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 呂迅;劉勝芳;劉曉佳;王志超
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01B13/00
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 任晨晨

本發明提供了一種側壁保護工藝制備高精度銀電極的方法，利用Bosch工藝的側壁保護機理和Ag濕刻后的底切形貌，Ag刻蝕后，Bosch工藝C₄F₈沉積鈍化聚合物，再SF₆刻蝕底部和頂部的聚合物，保留側壁鈍化層聚合物作為保護層，保護底部ITO刻蝕時Ag不被刻蝕，從而減少CD loss。使用Bosch側壁保護刻蝕工藝，能夠把CD loss由一步濕刻的1um減小到小于0.1um，滿足超高分辨率顯示需求。

技術領域

本發明屬于硅基Micro OLED微顯示領域，具體涉及一種側壁保護工藝制備高精度銀電極的方法。

背景技術

由于Ag反射率高達98％，被廣泛應用于頂發射有機發光二極管器件，但是由于銀(Ag)只能使用濕法刻蝕工藝，CD loss較大(1μm)，所以Ag電極結構沒辦法應用到硅基微顯、數字微鏡器件(DMD)等超高分辨率顯示上。目前超高分辨率顯示主要使用鋁(Al)電極，但是鋁反射率低(-91％),而且Al容易在在退火工藝中由于應力集中和釋放導致突刺(hillock)和凹坑，表面平整度差；鋁導電性差，電遷移嚴重，尤其是電阻隨著像素尺寸變小越來越大，電遷移越來越嚴重，電學可靠性變差。而Ag不存在應力變化導致的表面平整度差的問題，Ag導電性好，所以開發高精度、高反射率，高導電性銀電極對超高分辨顯示很有意義。

目前Ag電極主要使用ITO/Ag/ITO結構，硝化混酸(硝酸、磷酸、醋酸)一步刻蝕工藝，硝化混酸ITO刻蝕速率慢，Ag刻蝕速率很快，在刻下層ITO時刻蝕時間長，會導致Ag CDloss很大。

發明內容

本發明的目的在于提供一種側壁保護工藝制備高精度銀電極的方法，利用Bosch工藝的側壁保護機理和Ag濕刻后的底切形貌，Ag刻蝕后，Bosch工藝C₄F₈沉積鈍化聚合物，再SF₆刻蝕底部和頂部的聚合物，保留側壁鈍化層聚合物作為保護層，保護底部ITO刻蝕時Ag不被刻蝕，從而減少CD loss。使用Bosch側壁保護刻蝕工藝，能夠把CD loss由一步濕刻的1μm減小到小于0.1μm，滿足超高分辨率顯示需求。

本發明具體技術方案如下：

一種側壁保護工藝制備高精度銀電極的方法，包括以下步驟：

1)、ITO/Ag/ITO結構光刻；

2)、對上層ITO和Ag濕法刻蝕；

3)、C₄F₈沉積鈍化層；

4)、SF₆刻蝕；

5)、下層ITO濕法刻蝕；

6)、去除光刻膠和C₄F₈鈍化層。

進一步的，步驟1)中所述ITO/Ag/ITO結構中，從下到上依次為ITO層、Ag層和ITO層，其中上層ITO層和下層ITO層厚度均為100-500A，Ag層厚度為1000-5000A；

所述光刻，PR層厚度0.8-2μm，固化能量50-500mj；

步驟2)中，對上層ITO濕刻，未被光刻膠保護的位置去除上層ITO，刻蝕溶液采用草酸，時間20-50s，草酸對ITO/Ag選擇比很高，不刻蝕Ag，只刻蝕ITO；

步驟2)中，所用的草酸濃度沒有限制，使用行業常用市售草酸均可，質量分數一般在2-10wt％。

步驟2)中Ag濕刻去除采用硝化混酸刻蝕，時間為10-20s，硝化混酸不刻ITO，刻完Ag停止到ITO上；

硝化混酸濃度沒有限制，使用行業常用市售硝化混酸，一般為硝酸/磷酸/醋酸混酸，質量分數比為10-30％：40-50％：20-50％。