[發(fā)明專利]一種側(cè)壁保護(hù)工藝制備高精度銀電極的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011248264.0
• 申請(qǐng)日: 2020-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN112366040B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂迅;劉勝芳;劉曉佳;王志超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01B13/00
• 代理公司: 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107
• 代理人: 任晨晨

1.一種側(cè)壁保護(hù)工藝制備高精度銀電極的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)、ITO/Ag/ITO結(jié)構(gòu)光刻；

2)、對(duì)上層ITO和Ag濕法刻蝕；

3)、C₄F₈沉積鈍化層；

4)、SF₆刻蝕；

5)、下層ITO濕法刻蝕；

6)、去除光刻膠和C₄F₈鈍化層；

步驟3)中C₄F₈沉積鈍化層具體為：沉積時(shí)間10-30s，電源功率power 200-500W，C₄F₈流量10-20sccm，壓力3-10mt，溫度30-50℃；

步驟4)中SF₆刻蝕工藝參數(shù)：時(shí)間30-50s，電源功率power 300-400W，SF₆流量30-50sccm，壓力3-10mt，溫度30-50℃；

所述方法處理后電極CD loss小于0.1μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中所述ITO/Ag/ITO結(jié)構(gòu)中，從下到上依次為ITO層、Ag層和ITO層，其中上層ITO層和下層ITO層厚度均為Ag層厚度為

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中所述光刻，PR層厚度0.8-2μm，固化能量50-500mJ。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，對(duì)上層ITO濕刻，刻蝕溶液采用草酸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中Ag濕刻時(shí)間為10-20s，采用硝酸/磷酸/醋酸混合液刻蝕。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5)中，下層ITO濕法刻蝕具體為：ITO濕刻20-50s，刻蝕液為草酸或者硝化混酸；所述硝化混酸是指硝酸/磷酸/醋酸混酸，質(zhì)量分?jǐn)?shù)比為10-30％：40-50％：20-50％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟6)具體為：使用O₂等離子體灰化或者剝離液浸泡去除光刻膠和C₄F₈鈍化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述O₂等離子體灰化工藝參數(shù)為：處理時(shí)間60-120s，電源功率power 300-400W，O₂流量300-500sccm，壓力10-30mt，溫度30-50℃；

或，選擇NMP剝離液浸泡120-240s。