[發(fā)明專利]一種新型可調(diào)功函數(shù)的高反射率Micro OELD的陽極結(jié)構及其制備方法

在審

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• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112366284A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設計）人: 喬程;劉曉佳;祖?zhèn)?/a>
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產(chǎn)權代理有限公司 34107
• 代理人: 任晨晨

本發(fā)明提供了一種新型可調(diào)功函數(shù)的高反射率Micro OELD的陽極結(jié)構及其制備方法，陽極結(jié)構從下到上依次為基板、第一層IGZO、Ag層和第二層IGZO；本發(fā)明提供可調(diào)功函數(shù)的陽極結(jié)構，其中反射率較高且可與OLED不同空穴注入層匹配。本發(fā)明選擇可調(diào)節(jié)功函數(shù)的陽極材料可提高與空穴注入層材料的HOMO間勢壘差越小，有效降低器件的開啟電壓，從而改善器件的穩(wěn)定性和發(fā)光效率，提高器件的壽命。由于金屬Ag的電阻率小，導電性優(yōu)秀，加之反射率較Al更高，可以提高發(fā)光亮度另陽極頂層使用可調(diào)節(jié)IGZO材料，其功函數(shù)范圍為提高空穴注入效率，提高器件發(fā)光效率。

技術領域

本發(fā)明屬于半導體行業(yè)、顯示行業(yè)領域，具體涉及一種新型可調(diào)功函數(shù)的高反射率Micro OELD的陽極結(jié)構及其制備方法。

背景技術

當今行業(yè)內(nèi)OLED陽極功函數(shù)與空穴傳輸層HOMO之間的勢壘對器件的性能影響很大，尤其在微顯行業(yè)要求較高的PPI時缺陷更加突出，甚至直接決定器件的開啟電壓。

現(xiàn)有技術中，OLED器件陽極結(jié)構為Ti/Al/Ti的結(jié)構，但其功函數(shù)是固定的，因此對現(xiàn)有OLED器件電極功函數(shù)的調(diào)節(jié)范圍是很有限的，這就限制了OLED器件顯示效率的提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種新型可調(diào)功函數(shù)的高反射率Micro OELD的陽極結(jié)構，為IGZO/Ag/IGZO結(jié)構,頂層提高OLED空穴注入效率，反射功率高，可以代替業(yè)內(nèi)常規(guī)Ti/Al/Ti的結(jié)構。

本發(fā)明另一目的在于提供一種新型可調(diào)功函數(shù)的高反射率Micro OELD的陽極結(jié)構的制備方法，在基板上沉積IGZO，然后沉積Ag，最后沉積IGZO，Ag反射率較高，IGZO透明電極層功函數(shù)可調(diào)，范圍4.7ev-5.3ev，滿足不同OLED的空穴注入層的匹配，且IGZO作為與底層基板直接接觸層，能夠適應與不同材料基板間應力匹配，粘附力增加，減少peeling，之后經(jīng)過退火處理減少缺陷消除損傷，且不易出現(xiàn)與金屬之間電遷移現(xiàn)象，從而大大提高OLED結(jié)構的陽極性能。

本發(fā)明具體技術方案如下：

一種新型可調(diào)功函數(shù)的高反射率Micro OELD的陽極結(jié)構，所述陽極結(jié)構從下到上依次為基板、第一層IGZO、Ag層和第二層IGZO。

所述第一層IGZO厚度為100-200A。

進一步的，所述第一層IGZO原子比例為In:Ga:Zn＝2：1：2。

所述Ag層厚度為1400-1600A。

所述第二層采用第一層IGZO相同原子比例的IGZO靶源，IGZO厚度為120A-170A。

本發(fā)明提供的上述新型可調(diào)功函數(shù)的高反射率Micro OELD的陽極結(jié)構的制備方法，包括以下步驟：

1)、在基板上沉積第一層IGZO；

2)、再沉積Ag層；

3)、最后沉積第二層IGZO。

進一步的，步驟1)中所述基板為Si基IC基板，是IC廠生產(chǎn)的市售產(chǎn)品。

進一步的，步驟1)中，使用Evatec濺射機(IGZO damage free)沉積不同材料的陽極，采用不同原子比例IGZO材料可匹配不同的OLED空穴注入層。

優(yōu)選的，步驟1)中，使用不同原子比例的IGZO靶材沉積100-200A第一層IGZO膜層；

更優(yōu)選的，步驟1)中，濺射A第一層IGZO膜層時，控制原子比例In:Ga:Zn＝2：1：2，能夠控制膜層均勻性及在基板上粘附性，因基板與IGZO晶格失配度小，此種比例的原子比可以與不同基板應力匹配，從而增加粘附性，減少peeling，且在底層電子遷移率較低，更加有利于后期陽極刻蝕易產(chǎn)生的黑點問題。