[發明專利]一種新型可調功函數的高反射率Micro OELD的陽極結構及其制備方法在審
| 申請號： | 202011248249.6 | 申請日： | 2020-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN112366284A | 公開（公告）日： | 2021-02-12 |
| 發明（設計）人： | 喬程;劉曉佳;祖偉 | 申請（專利權）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107 | 代理人： | 任晨晨 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市蕪湖長江*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 可調 函數 反射率 micro oeld 陽極 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種新型可調功函數的高反射率Micro OELD的陽極結構，其特征在于，所述陽極結構從下到上依次為基板、第一層IGZO、Ag層和第二層IGZO。
2.根據權利要求書1所述的陽極結構，其特征在于，第一層IGZO厚度為100-200A。
3.根據權利要求書1或2所述的陽極結構，其特征在于，所述第一層IGZO原子比例為In:Ga:Zn＝2：1：2。
4.根據權利要求書1所述的陽極結構，其特征在于，所述Ag層厚度為1400-1600A。
5.根據權利要求書1所述的陽極結構，其特征在于，所述第二層IGZO厚度為120A-170A。
6.一種權利要求1-5任一項所述陽極結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
1)、在基板上沉積第一層IGZO；
2)、再沉積Ag層；
3)、最后沉積第二層IGZO。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中，沉積第一層IGZO的工藝參數為：通入Ar 5sccm/O2 10sccm，直流濺射電源功率DC power設置為100-150W，沉積s時間32-56s，沉積得到100-200A IGZO膜層。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟2)中所述沉積Ag層的工藝參數為：通入30-40sccm Ar，直流濺射電源功DC power設置為1300-1500W，沉積60-70s，在第一層IGZO膜層表面沉積1400-1600A的金屬Ag。
9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟3)中工藝參數為：直直流濺射電源功率DC power設置80W-100W，在Ag層上沉積120A-170A的IGZO膜層。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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