[發明專利]陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 202011247307.3
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112415799A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 劉煌正
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G03F7/09;C23F1/26;C23F1/02
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 高楊麗

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

沿垂直于玻璃基板的方向，在所述玻璃基板上依次鋪設隔離層、金屬層和光阻膜層；

對所述光阻膜層進行曝光顯影處理；

對所述隔離層和所述金屬層進行初蝕刻處理；

對所述金屬層進行二次蝕刻處理，使得沿所述玻璃基板的平面方向，所述隔離層的外周與所述金屬層的外周之間的間距為0.1-0.8μm；

去除所述光阻膜層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成所述隔離層的材料包括鉬、鈦、鈮和鉈中的至少兩種。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述初步蝕刻處理采用第一蝕刻液進行蝕刻處理；相對于所述第一蝕刻液的總重量，所述第一蝕刻液包括0.01-1％重量比的氟化物、5-40％重量比的過氧化氫、0.01-5％重量比的含有氮原子和硫原子的化合物、0.1-5％重量比的同時含有氨基和羧酸基的第一螯合劑和用于調節所述第一蝕刻液pH值的有機酸；所述第一蝕刻液的pH為3.5-4.5；

其中，所述含有氮原子和硫原子的化合物為硫醇基咪唑啉、2-硫醇基-1-甲基咪唑啉、2-巰基噻唑、2-氨基噻唑、巰基三唑、氨基巰基三唑、巰基四氮唑、甲基巰基四氮唑、噻唑、苯基噻唑、2-甲基苯丙噻唑、2-氨基苯丙噻唑及2-巰基苯丙噻唑中的至少一種。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述初步蝕刻處理的時間為100-120s。

5.根據權利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述二次蝕刻處理采用第二蝕刻液處理；相對于所述第二蝕刻液的總重量，所述第二蝕刻液包括5-15％重量比的過氧化氫、5-20％重量比的第二螯合劑和用于調節所述第二蝕刻液的pH值的胺類化合物；

所述第二蝕刻液的pH為4-5。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述二次蝕刻處理的時間為10s～80s。

7.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板由權利要求1-6任一項所述的制備方法制備得到。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，沿垂直于所述玻璃基板的方向，所述隔離層的厚度為

9.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，沿垂直于所述玻璃基板的方向，所述金屬層的厚度為

10.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，相對于所述金屬層的平面方向，所述金屬層的側面為斜面；所述金屬層的平面方向與所述斜面之間的夾角為30-60°。