[發明專利]一種納米級磁性顆粒及其制備方法

有效

• 申請號: 202011247058.8
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN113380526B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 美國發現集團有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;B82Y5/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王曉坤

1.一種納米級磁性顆粒制備方法，其特征在于，包括：

獲得襯底，且所述襯底的上表面具有微米級的孔；

在所述襯底的上表面形成疏水層；

在所述疏水層的上表面形成厚度為納米級的磁性膜層，得到處理后襯底；

分離所述處理后襯底中的所述磁性膜層，并對分離后磁性膜層進行研磨，得到納米級磁性顆粒；

其中，所述疏水層為下述任一種膜層：

抗指紋材料層、鉭膜層、鎳膜層、鈮膜層、鉑膜層，所述抗指紋材料層為SiO₂和AF材料；

所述磁性膜層包括下述任一種或者任意組合膜層：

鐵膜層、鈦膜層、鈷膜層、鎳膜層、不銹鋼膜層；

分離所述處理后襯底中的所述磁性膜層時，將所述處理后襯底豎直放置在流動的純水固定槽中，槽底部安裝有鼓泡管，所述磁性膜層與所述處理后襯底上的所述疏水層在流水壓鼓泡壓的作用下分離；或者，采用高溫法分離所述磁性膜層。

2.如權利要求1所述的納米級磁性顆粒制備方法，其特征在于，在所述疏水層的上表面形成厚度為納米級的磁性膜層，得到處理后襯底之前，還包括：

利用離子轟擊所述疏水層的上表面。

3.如權利要求2所述的納米級磁性顆粒制備方法，其特征在于，所述獲得襯底，且所述襯底的上表面具有微米級的孔包括：

獲得基板；

對所述基板進行光刻，得到所述襯底。

4.如權利要求3所述的納米級磁性顆粒制備方法，其特征在于，在獲得基板之后，還包括：

在所述基板的上表面形成介質層；

相應的，對所述基板進行光刻，得到所述襯底包括：

對所述介質層進行光刻，得到所述襯底。

5.如權利要求4所述的納米級磁性顆粒制備方法，其特征在于，在所述基板的上表面形成介質層包括：

利用涂膠法或者真空磁控濺射法，在所述基板的上表面形成所述介質層。

6.如權利要求5所述的納米級磁性顆粒制備方法，其特征在于，獲得基板之前，還包括：

對所述基板進行清洗。

7.如權利要求1至6任一項所述的納米級磁性顆粒制備方法，其特征在于，在所述疏水層的上表面形成厚度為納米級的磁性膜層包括：

利用真空磁控濺射法、涂膠法、噴涂法、印刷法中的任一種方法，在所述疏水層的上表面形成所述磁性膜層。

8.一種納米級磁性顆粒，其特征在于，所述納米級磁性顆粒由如權利要求1至7任一項所述的納米級磁性顆粒制備方法得到。