[發(fā)明專利]一種非均勻拋物線陣列天線設(shè)計(jì)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011246386.6 | 申請日: | 2020-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN112307588A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭華 | 申請(專利權(quán))人: | 西安工程大學(xué) |
| 主分類號: | G06F30/18 | 分類號: | G06F30/18;G06F30/27;G06N3/00;G06F111/04 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務(wù)所 61214 | 代理人: | 羅笛 |
| 地址: | 710048 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 均勻 拋物線 陣列 天線 設(shè)計(jì) 方法 | ||
1.一種非均勻拋物線陣列天線設(shè)計(jì)方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、構(gòu)建拋物線陣列天線的數(shù)學(xué)表達(dá)式,設(shè)定陣列天線的孔徑尺寸、陣列單元數(shù)目和拋物線相關(guān)參數(shù);
步驟2、由步驟1確定的陣列天線數(shù)學(xué)表達(dá)式,計(jì)算具有最小陣元間距約束要求陣列單元位置;
步驟3、由步驟2計(jì)算的陣列單元位置,計(jì)算拋物線陣列天線的輻射方向圖,計(jì)算輻射方向圖的最高旁瓣電平,得到適應(yīng)度函數(shù)值;
步驟4、根據(jù)步驟3計(jì)算的適應(yīng)度函數(shù)值,利用入侵雜草算法優(yōu)化陣列單元的位置,得到非均勻拋物線陣列天線設(shè)計(jì)優(yōu)化結(jié)果。
2.如權(quán)利要求1所述的一種非均勻拋物線陣列天線設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述步驟1具體包括以下步驟:設(shè)定陣列孔徑尺寸為2L,總的陣列單元數(shù)目約束為2N+1,將陣列單元布置在式(1)所示拋物線上:
y=f(x)=ax2+b (1)
通過改變公式(1)中的a和b的值獲得不同結(jié)構(gòu)的拋物線陣列天線。
3.如權(quán)利要求2所述的一種非均勻拋物線陣列天線設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述步驟2具體包括以下步驟:
步驟2.1、通過公式(2)計(jì)算第n個(gè)陣列單元沿著拋物線到中心陣列單元的距離:
式(2)中,de是相鄰陣元之間的最小間距約束;N為陣列單元數(shù)目;dnn=2,3,…,N,為第n個(gè)陣列單元沿著拋物線到第一個(gè)陣列單元的距離;cnn=1,2,…,N-1,為由優(yōu)化變量確定的變量;
步驟2.2、通過式(3)計(jì)算每個(gè)陣列單元的位置:
式(3)中,dn為第n個(gè)陣列單元沿著拋物線到第一個(gè)陣列單元的距離,a和b為確定拋物線結(jié)構(gòu)的參數(shù),xn和yn為第n個(gè)陣列單元的橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo),N為陣列單元數(shù)目。
4.如權(quán)利要求3所述的一種非均勻拋物線陣列天線設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述步驟3具體包括以下步驟:
步驟3.1、設(shè)定陣列單元為等幅同相激勵(lì),則陣列天線的輻射方向圖可表示為:
式(4)中,(xn,yn)是第n個(gè)陣列單元的位置,φ為方位角,主波束的指向?yàn)?θ0,φ0),j是虛數(shù)單位,k是波數(shù);
步驟3.2、陣列天線輻射方向圖的最高旁瓣電平為:
式(5)中,AF(φ)為陣列天線輻射方向圖,AFmax是陣列天線輻射方向圖的最大值,S是旁瓣區(qū)域;
步驟3.3、將最高旁瓣電平最低的最小優(yōu)化問題轉(zhuǎn)化為最大優(yōu)化問題,建立適應(yīng)度函數(shù)為:
f(x0,x1,…,xN)=|PSLL(dB)| (6)。
5.如權(quán)利要求4所述的一種非均勻拋物線陣列天線設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述步驟4具體包括以下步驟:
步驟4.1、給出入侵雜草算法的參數(shù)值,生成N-1×P維矢量r作為初始種群,其中r=[r1,r2,···,rp],矩陣的每個(gè)元素為n=1,2,…,N-1,p=1,2,…,P;令iter=1;
步驟4.2、由優(yōu)化變量根據(jù)式(2)計(jì)算第n個(gè)陣列單元沿著拋物線到中心陣列單元的距離,利用公式(3)計(jì)算陣列單元的位置;
步驟4.3、由陣列單元位置,根據(jù)公式(4)計(jì)算陣列天線輻射方向圖,利用公式(5)計(jì)算輻射方向圖的最高旁瓣電平,用公式(6)計(jì)算適應(yīng)度函數(shù)值;
步驟4.4、根據(jù)適應(yīng)度函數(shù)值對優(yōu)化參數(shù)rp,p=1,2,…,P,利用入侵雜草算法進(jìn)行更新;
步驟4.5、令iter=iter+1,如果iter<itermax,返回步驟4.2,否則,終止迭代,輸出陣列天線方向圖最高旁瓣電平最低的陣列單元位置。
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