[發明專利]一種高集成度SRAM

有效

• 申請號: 202011246004.X
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112366204B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 廖永波;馮軻;李平;李垚森;聶瑞宏;唐瑞楓;林凡
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H10B10/00
• 分類號: H10B10/00;H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所(普通合伙) 51215
• 代理人: 劉勛

1.一種高集成度SRAM，包括由PMOS管和NMOS管構成的MOS管對；構成MOS管對的PMOS管和NMOS管皆包括縱向層疊設置于襯底上方的各個有源層，各個有源層中，設置于最上方的有源層為頂部有源層，設置于最下方的有源層為底部有源層，PMOS管和NMOS管的底部有源層皆與襯底接觸；所述PMOS管和NMOS之間為分隔結構；PMOS管和NMOS管皆具有柵結構，柵結構由柵區和柵介質組成；

其特征在于，

所述PMOS管和NMOS管的柵區皆自頂部有源層的頂面所在平面向下垂直延伸至底部有源層，

PMOS管中，位于底部有源層上方的各有源層構成長方體形的第一有源區；第一有源區被第一隔離結構所環繞，所述第一隔離結構由分隔結構和PMOS管柵結構組成，分隔結構與第一有源區的一個側面接觸，PMOS管柵結構與第一有源區的剩余3個側面接觸；

NMOS管中，位于底部有源層上方的各有源層構成長方體形的第二有源區；第二有源區被第二隔離結構所環繞，所述第二隔離結構由分隔結構、NMOS管柵結構和絕緣區組成，分隔結構與第二有源區的第一個側面接觸，NMOS管柵結構與第二有源區第二個側面接觸，絕緣區與第二有源區的剩余兩個側面接觸；

分隔結構包括絕緣材料和金屬導體，金屬導體穿透絕緣材料至底部有源層，作為底部有源層的電極引出導體。

2.如權利要求1所述的高集成度SRAM，其特征在于，

所述PMOS管中，底部有源層為P+重摻雜層，自底部有源層向上，各有源層依次為P-輕摻雜層、N摻雜層、P+重摻雜層，其中底部有源層作為漏區，頂部有源層作為源區；

所述NMOS管中，底部有源層為N+重摻雜層，自底部有源層向上，各有源層依次為N-輕摻雜層、P摻雜層、N+重摻雜層，其中底部有源層作為漏區，頂部有源層作為源區；

PMOS管和NMOS管的漏區相接，且通過分隔結構中的同一金屬導體引出。

3.如權利要求1所述的高集成度SRAM，其特征在于，

所述PMOS管中，底部有源層為P+重摻雜層，自底部有源層向上，各有源層依次為N摻雜層、P-輕摻雜層、P+重摻雜層，其中底部有源層作為源區，頂部有源層作為漏區；

所述NMOS管中，底部有源層為N+重摻雜層，自底部有源層向上，各有源層依次為P摻雜層、N-輕摻雜層、N+重摻雜層，其中底部有源層作為源區，頂部有源層作為漏區；

PMOS管和NMOS管的源區由二氧化硅隔離，且通過分隔結構中的兩個獨立的金屬導體分別引出，兩個獨立的金屬導體之間通過二氧化硅隔離。