[發(fā)明專利]顯示設備及制造顯示設備的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011245397.2 | 申請日: | 2020-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN112864197A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金璟陪;金東煥;鄭美惠;鄭浚琦 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 制造 方法 | ||
本申請涉及顯示設備和制造顯示設備的方法。該顯示設備包括:襯底,包括具有像素區(qū)域的顯示區(qū)域以及與顯示區(qū)域相鄰的非顯示區(qū)域;以及像素,設置在像素區(qū)域中的每一個中。像素包括:子電極、第一導電線和第二導電線,位于襯底上;第一絕緣層,位于子電極以及第一導電線和第二導電線之上;第一電極至第四電極,位于第一絕緣層上;第二絕緣層,在第一電極和第二電極之上與第一電極和第二電極完全重疊,第二絕緣層暴露第三電極和第四電極;發(fā)光元件,在第一電極和第二電極之間;第一接觸電極,位于第一電極上;以及第二接觸電極,位于第二電極上。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年11月12日在韓國知識產(chǎn)權局提交的第10-2019-0144494號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益,所述韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文中。
技術領域
本公開總體上涉及顯示設備和制造顯示設備的方法。
背景技術
發(fā)光二極管即使在惡劣的環(huán)境條件下也表現(xiàn)出相對令人滿意的耐用性,并且在壽命和亮度方面具有優(yōu)異的性能。
為了將發(fā)光二極管應用到照明設備、顯示設備等,可能需要將施加電力的電極電連接到發(fā)光二極管。已經(jīng)在使用目的、減小電極占用的空間、制造方法、驅(qū)動方法等方面廣泛研究了發(fā)光二極管和電極之間的布置或關系。
應當理解,該技術背景部分旨在部分地提供對于理解該技術有用的背景。然而,該技術背景部分也可以包括在本文中所公開的主題的相應有效申請日之前不是相關領域的技術人員已知或理解的部分的思想、構思或認識。
發(fā)明內(nèi)容
實施方式提供一種通過減少掩模的數(shù)量通過制造工藝形成的顯示設備以及一種制造顯示設備的方法。
在實施方式中,顯示設備可以包括:襯底,包括具有多個像素區(qū)域的顯示區(qū)域以及與顯示區(qū)域相鄰的非顯示區(qū)域;以及像素,設置在像素區(qū)域中的每一個中。
像素可以包括:子電極、第一導電線和第二導電線,設置在襯底上,其中,子電極、第一導電線和第二導電線可以彼此間隔開;第一絕緣層,設置在子電極以及第一導電線和第二導電線之上;第一電極至第四電極,設置在第一絕緣層上,其中,第一電極至第四電極可以彼此間隔開;第二絕緣層,在第一電極和第二電極之上設置成與第一電極和第二電極完全重疊,第二絕緣層暴露第三電極和第四電極;多個發(fā)光元件,在第一電極和第二電極之間設置在第二絕緣層上;第一接觸電極,設置在第一電極上,其中,第二絕緣層可以設置在第一接觸電極和第一電極之間;以及第二接觸電極,設置在第二電極上,其中,第二絕緣層可以設置在第二接觸電極和第二電極之間。
像素可以包括:第三導電線和第四導電線,設置在襯底上,第三導電線和第四導電線設置在第一導電線和第二導電線之間;以及第一中間電極和第二中間電極,設置在第一絕緣層上,第一中間電極和第二中間電極設置在第一電極和第二電極之間。
第二絕緣層可以在第一中間電極和第二中間電極之上設置成與第一中間電極和第二中間電極完全重疊。
第一電極可以在第一絕緣層上在與第一導電線相同的方向上延伸,第二電極可以在第一絕緣層上在與第二導電線相同的方向上延伸,第一中間電極可以在第一絕緣層上在與第三導電線相同的方向上延伸,并且第二中間電極可以在第一絕緣層上在與第四導電線相同的方向上延伸。
第一電極可以與第一導電線重疊,第二電極可以與第二導電線重疊,第一中間電極可以與第三導電線重疊,并且第二中間電極可以與第四導電線重疊。
第一絕緣層可以包括多個接觸孔,多個接觸孔暴露子電極的一部分、第一導電線至第四導電線中的每一個的一部分以及第二導電線的另一部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





