[發明專利]顯示設備及制造顯示設備的方法在審
| 申請號: | 202011245397.2 | 申請日: | 2020-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN112864197A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 金璟陪;金東煥;鄭美惠;鄭浚琦 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 制造 方法 | ||
1.顯示設備,包括:
襯底,包括:
顯示區域,包括多個像素區域;以及
非顯示區域,與所述顯示區域相鄰;以及
像素,設置在所述多個像素區域中的每一個中,
其中,所述像素包括:
子電極、第一導電線和第二導電線,設置在所述襯底上,
其中,所述子電極、所述第一導電線和所述第二導電線彼此間隔開;
第一絕緣層,設置在所述子電極以及所述第一導電線和所述第二導電線之上;
第一電極、第二電極、第三電極和第四電極,設置在所述第一絕緣層上,所述第一電極至所述第四電極彼此間隔開;
第二絕緣層,在所述第一電極和所述第二電極之上設置成與所述第一電極和所述第二電極完全重疊,所述第二絕緣層暴露所述第三電極和所述第四電極;
多個發光元件,在所述第一電極和所述第二電極之間設置在所述第二絕緣層上;
第一接觸電極,設置在所述第一電極上,其中,所述第二絕緣層設置在所述第一接觸電極和所述第一電極之間;以及
第二接觸電極,設置在所述第二電極上,其中,所述第二絕緣層設置在所述第二接觸電極和所述第二電極之間。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述像素包括:
第三導電線和第四導電線,設置在所述襯底上,所述第三導電線和所述第四導電線設置在所述第一導電線和所述第二導電線之間;以及
第一中間電極和第二中間電極,設置在所述第一絕緣層上,所述第一中間電極和所述第二中間電極設置在所述第一電極和所述第二電極之間。
3.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述第二絕緣層在所述第一中間電極和所述第二中間電極之上設置成與所述第一中間電極和所述第二中間電極完全重疊。
4.根據權利要求3所述的顯示設備,其中,
所述第一電極在所述第一絕緣層上在與所述第一導電線相同的方向上延伸,
所述第二電極在所述第一絕緣層上在與所述第二導電線相同的方向上延伸,
所述第一中間電極在所述第一絕緣層上在與所述第三導電線相同的方向上延伸,以及
所述第二中間電極在所述第一絕緣層上在與所述第四導電線相同的方向上延伸。
5.根據權利要求4所述的顯示設備,其中,在平面圖中,
所述第一電極與所述第一導電線重疊,
所述第二電極與所述第二導電線重疊,
所述第一中間電極與所述第三導電線重疊,以及
所述第二中間電極與所述第四導電線重疊。
6.根據權利要求5所述的顯示設備,其中,所述第一絕緣層包括多個接觸孔,所述多個接觸孔暴露所述子電極的一部分、所述第一導電線至所述第四導電線中的每一個的一部分以及所述第二導電線的另一部分。
7.根據權利要求6所述的顯示設備,其中,
所述第一電極電連接到所述第一導電線的所暴露的部分,
所述第二電極和所述第四電極分別電連接到所述第二導電線的所暴露的部分,
所述第一中間電極電連接到所述第三導電線的所暴露的部分,
所述第二中間電極電連接到所述第四導電線的所暴露的部分,以及
所述第三電極電連接到所述子電極的所暴露的部分。
8.根據權利要求7所述的顯示設備,其中,
所述第一導電線和所述第一電極彼此連接以形成包括設置在所述第一導電線和所述第一電極之間的所述第一絕緣層的雙層結構,
所述第二導電線和所述第二電極彼此連接以形成包括設置在所述第二導電線和所述第二電極之間的所述第一絕緣層的雙層結構,
所述第三導電線和所述第一中間電極彼此連接以形成包括設置在所述第三導電線和所述第一中間電極之間的所述第一絕緣層的雙層結構,以及
所述第四導電線和所述第二中間電極彼此連接以形成包括設置在所述第四導電線和所述第二中間電極之間的所述第一絕緣層的雙層結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





