[發(fā)明專利]保護膜組合物、半導體器件的制造方法及激光切割方法

有效

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• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112876929B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發(fā)明（設計）人: 郭圣揚;劉騏銘;施俊安
• 申請（專利權）人: 奇美實業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C09D139/06
• 分類號: C09D139/06;C09D129/04;C09D5/32;H01L21/78;B23K26/38
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 宋興;臧建明

本發(fā)明提供一種保護膜組合物、半導體器件的制造方法及激光切割方法，所述保護膜組合物包括：水溶性樹脂(A)、激光吸收劑(B)以及，溶劑(C)，其中，所述水溶性樹脂(A)包含聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A?1)，且所述聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A?1)的K值為75以上且150以下。所述保護膜組合物具有流平性佳的優(yōu)點。

技術領域

本發(fā)明涉及一種保護膜組合物、半導體器件的制造方法及激光切割方法，尤其涉及一種用于半導體晶圓等的激光切割的保護膜組合物、進行通過激光切割加工的半導體器件的制造方法、及激光切割方法。

背景技術

在半導體器件的制造工序中，通過將層疊了各種元件(device)的半導體晶圓切割而進行分離，而獲得各半導體芯片。

作為切割方法，近年來，一直使用激光切割。

所謂激光切割，是對對象物照射激光，而將對象物切削成所期望的形狀的方法，且可在短時間內進行精度佳的加工。

在激光切割中，對基板照射激光后，存在以下情況：基板吸收激光，因其熱能而使基板熔融，并且所述熱熔融物(殘渣(debris))附著于元件表面。若在元件表面附著殘渣，則半導體芯片的品質降低。

作為保護元件表面不受殘渣影響的加工方法，提出了在基板表面形成保護膜，經由保護膜而照射激光的加工方法。作為保護膜，對在激光切割后可進行清洗除去的水溶性保護膜進行了研究。

具體而言，TW201614017中揭示了一激光切割用保護膜組合物，其包含：水溶性樹脂、內包有激光吸收劑的樹脂膠囊、以及水系溶媒。

然而，上述所記載的保護膜組合物，其流平性較差，故無法為業(yè)者所接受。

發(fā)明內容

有鑒于上述問題，本發(fā)明提供一種保護膜組合物，其能夠改善上述流平性較差的問題。

本發(fā)明提供一種保護膜組合物，包括：水溶性樹脂(A)、激光吸收劑(B)以及溶劑(C)，其中水溶性樹脂(A)包括聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A-1)，且聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A-1)的K值為75至150。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的水溶性樹脂(A)還包括聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A-2)，且聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A-2)的K值為5至70。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A-1)的K值為80至140。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A-1)的K值為80至130。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A-2)的K值為10至65。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A-2)的K值為15至65。

在本發(fā)明的一實施例中，基于水溶性樹脂(A)的使用量為100重量份，聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A-1)的使用量為25重量份至65重量份，聚乙烯吡咯烷酮系水溶性樹脂(A-2)的使用量為35重量份至75重量份。

在本發(fā)明的一實施例中，基于水溶性樹脂(A)的使用量為100重量份，激光吸收劑(B)的使用量為1重量份至30重量份，溶劑(C)的使用量為500重量份至3000重量份。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的保護膜組合物用于激光切割用途。

本發(fā)明更提供一種半導體器件的制造方法，包括：

將上述的保護膜組合物應用于基板上而形成保護層的工序、經由保護層對基板照射激光，而進行激光切割的工序、以及

對激光切割后的基板進行水洗，而自基板除去保護層的工序。