[發(fā)明專利]顯示面板的制備方法及顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011243889.8
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112420617A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12;G06K9/00;G09F9/33;G09F9/35
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 高楊麗

本揭示實施例提供了一種顯示面板的制備方法及顯示面板，顯示面板包括襯底基板、驅(qū)動電路層、以及指紋識別模組，指紋識別模組通過電極層與驅(qū)動電路層電連接，指紋識別模組被配置成用以接收光迅號并產(chǎn)生光生載流子，驅(qū)動電路層內(nèi)的電容結(jié)構(gòu)被配置成用以存儲光生載流子，當(dāng)驅(qū)動電路層開啟時，電容結(jié)構(gòu)內(nèi)存儲的電荷輸出，并實現(xiàn)指紋識別。本揭示實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)簡單并且生產(chǎn)工藝少，生產(chǎn)成本低，同時指紋識別的準(zhǔn)確度以及識別效率高。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭示涉及顯示面板制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板的制備方法及顯示面板。

背景技術(shù)

近年來，隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，顯示面板的功能也得到迅速發(fā)展，其中，屏下指紋識別技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種移動顯示面板及顯示終端內(nèi)。

現(xiàn)有的屏下指紋識別技術(shù)中，主要包括電容式、光學(xué)式以及超聲波式指紋識別技術(shù)。其中光學(xué)指紋識別技術(shù)為目前的主流識別技術(shù)之一，光學(xué)指紋識別技術(shù)通過光電傳感器來獲取指紋特征，然后再對顯示設(shè)備進(jìn)行控制。但是，在現(xiàn)有的搭載有(光學(xué))屏下指紋識別技術(shù)的顯示面板中，通常將主要的光電傳感器識別模塊置于顯示面板下方的特定區(qū)域內(nèi)，其利用透過面板內(nèi)的子像素間的縫隙的光線以實現(xiàn)指紋信息的獲取。但是，當(dāng)光線在顯示面板內(nèi)傳播時，在各膜層上的損耗較大，導(dǎo)致最終到達(dá)光電傳感器識別模塊上的光線量較小，使得識別效率降低甚至出現(xiàn)無法識別的問題。同時，由于只能在特定的區(qū)域內(nèi)設(shè)置識別模塊，因此，在進(jìn)行識別時，必須將手指等識別物放置于特定的限定區(qū)域內(nèi)，才能達(dá)到識別的目的，從而造成顯示面板在進(jìn)行指紋識別時存在一定的局限性。

綜上所述，現(xiàn)有的指紋識別技術(shù)中，到達(dá)顯示面板內(nèi)的光電傳感器識別模塊的光線量較少，光線不能被完全接收，進(jìn)而造成顯示面板的指紋識別效率較低、指紋的識別準(zhǔn)確性差，以及顯示面板的指紋識別區(qū)域較小，通用性較低、用戶體驗較差等問題。

發(fā)明內(nèi)容

本揭示實施例提供一種顯示面板的制備方法及顯示面板，以解決現(xiàn)有的顯示面板的指紋識別技術(shù)中，指紋識別效率不高、指紋識別的準(zhǔn)確性較低并提高顯示面板的指紋識別范圍。

本揭示實施例提供一種顯示面板的制備方法及顯示面板，以提高顯示面板的指紋識別性能。

為解決上述技術(shù)問題，本揭示實施例提供的技術(shù)方案如下：

本揭示實施例的第一方面，提供了一種顯示面板的制備方法，包括如下步驟：

S10：提供襯底基板；

S11：在所述襯底基板上制備驅(qū)動電路層，其中，所述驅(qū)動電路層包括至少兩個薄膜晶體管，依次沉積并蝕刻形成圖案化的所述薄膜晶體管的有源層、第一柵極層、第二柵極層以及層間介質(zhì)層，并在所述薄膜晶體管對應(yīng)位置上蝕刻并形成多個第一過孔結(jié)構(gòu)；

S12：在所述驅(qū)動電路層上沉積并刻蝕形成圖案化的第一電極層，并在所述第一電極層上制備第一平坦化層，在所述第一平坦化層上蝕刻形成多個第二過孔結(jié)構(gòu)，并在所述第一平坦化層上沉積并蝕刻形成第二電極層；

S13：在所述第二電極層上制備第一鈍化層，在所述第一鈍化層一側(cè)蝕刻形成第一開口，并在所述第一開口對應(yīng)區(qū)域內(nèi)制備指紋識別模組；

S14：在所述第一鈍化層上制備第二鈍化層，并在所述第一鈍化層和第二鈍化層上蝕刻形成第三過孔結(jié)構(gòu)，在所述第二鈍化層和所述指紋識別模組上沉積氧化銦錫膜層；

S15：在所述第二鈍化層上沉積第二平坦化層，在所述第二平坦化層上沉積像素定義層，并在所述像素定義層的一側(cè)蝕刻形成第二開口，在所述第二開口區(qū)域內(nèi)蝕刻并形成第四過孔結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本揭示一實施例，所述步驟S11中，所述薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，將所述第一薄膜晶體管的第二柵極層設(shè)置在所述第一薄膜晶體管的第一柵極層的一側(cè)，將所述第二薄膜晶體管的第二柵極層設(shè)置在所述第二薄膜晶體管的第一柵極層的正上方對應(yīng)位置處。