[發(fā)明專利]顯示面板的制備方法及顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011243889.8 | 申請日: | 2020-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN112420617A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L27/12;G06K9/00;G09F9/33;G09F9/35 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 高楊麗 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S10:提供襯底基板;
S11:在所述襯底基板上制備驅(qū)動電路層,其中,所述驅(qū)動電路層包括至少兩個薄膜晶體管,依次沉積并蝕刻形成圖案化的所述薄膜晶體管的有源層、第一柵極層、第二柵極層以及層間介質(zhì)層,并在所述薄膜晶體管對應(yīng)位置上蝕刻并形成多個第一過孔結(jié)構(gòu);
S12:在所述驅(qū)動電路層上沉積并刻蝕形成圖案化的第一電極層,并在所述第一電極層上制備第一平坦化層,在所述第一平坦化層上蝕刻形成多個第二過孔結(jié)構(gòu),并在所述第一平坦化層上沉積并蝕刻形成第二電極層;
S13:在所述第二電極層上制備第一鈍化層,在所述第一鈍化層一側(cè)蝕刻形成第一開口,并在所述第一開口對應(yīng)區(qū)域內(nèi)制備指紋識別模組;
S14:在所述第一鈍化層上制備第二鈍化層,并在所述第一鈍化層和第二鈍化層上蝕刻形成第三過孔結(jié)構(gòu),在所述第二鈍化層和所述指紋識別模組上沉積氧化銦錫膜層;
S15:在所述第二鈍化層上沉積第二平坦化層,在所述第二平坦化層上沉積像素定義層,并在所述像素定義層的一側(cè)蝕刻形成第二開口,在所述第二開口區(qū)域內(nèi)蝕刻并形成第四過孔結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述步驟S11中,所述薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,將所述第一薄膜晶體管的第二柵極層設(shè)置在所述第一薄膜晶體管的第一柵極層的一側(cè),將所述第二薄膜晶體管的第二柵極層設(shè)置在所述第二薄膜晶體管的第一柵極層的正上方對應(yīng)位置處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述第一薄膜晶體管的第二柵極層設(shè)置在所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管之間區(qū)域內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述第一電極層包括所述薄膜晶體管的源極和漏極,所述源極和漏極通過所述第一過孔與所述有源層電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述步驟S13中,所述指紋識別模組包括第一膜層、第二膜層和第三膜層;
在所述第一開口對應(yīng)的所述第二電極層上沉積所述第一膜層,并使所述第一膜層的兩側(cè)延伸至所述第一開口區(qū)域外;
在所述第一膜層上沉積所述第二膜層,并在所述第二膜層上沉積所述第三膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述第二鈍化層的高度小于所述指紋識別模組的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,還包括步驟:
在所述第二開口內(nèi)沉積第三電極層;
在所述第三電極層上沉積發(fā)光層;
在所述發(fā)光層上沉積封裝層。
8.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
襯底基板;
驅(qū)動電路層,所述驅(qū)動電路層設(shè)置在所述襯底基板上,所述驅(qū)動電路層包括至少兩個薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括有源層、第一柵極層、第二柵極層、第一過孔以及層間介質(zhì)層;
第一電極層,所述第一電極層設(shè)置在所述驅(qū)動電路層上,所述第一電極層通過所述第一過孔與所述有源層電連接;
第一平坦化層,所述第一平坦化層設(shè)置在所述第一電極層上,所述第一平坦化層上還設(shè)置有多個第二過孔;
第二電極層,所述第二電極層設(shè)置在所述第一平坦化層上,且所述第二電極通過所述第二過孔與所述第一電極層電連接;以及
鈍化層,所述鈍化層設(shè)置在所述第二電極層上;
其中,所述鈍化層的一側(cè)設(shè)置有第一開口,所述第一開口對應(yīng)設(shè)置在所述第二電極層上,且所述第一開口內(nèi)設(shè)置有指紋識別模組,所述指紋識別模組通過所述第二電極層與所述驅(qū)動電路層電連接;所述第二柵極層與所述第一電極層形成一電容結(jié)構(gòu);
所述指紋識別模組被配置成用以接收光迅號并產(chǎn)生光生載流子,所述電容結(jié)構(gòu)被配置成用以存儲所述光生載流子,所述驅(qū)動電路層開啟時,所述驅(qū)動電路層將所述電容結(jié)構(gòu)內(nèi)存儲的電荷輸出,并實現(xiàn)指紋識別。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





