[發明專利]氣足

有效

• 申請號: 202011243535.3
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112065858B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 江旭初;袁嘉欣;吳火亮
• 申請（專利權）人: 上海隱冠半導體技術有限公司
• 主分類號: F16C32/06
• 分類號: F16C32/06
• 代理公司: 上海上谷知識產權代理有限公司 31342
• 代理人: 蔡繼清

1.一種氣足，其特征在于，包括：氣足本體，所述氣足本體呈矩形板狀，且所述矩形板狀的氣足本體的四個角部設有倒角面；

所述氣足本體的底面上開設有第一環形泄氣槽和第二環形泄氣槽，所述第一環形泄氣槽與所述第二環形泄氣槽同軸設置且相對于所述第二環形泄氣槽徑向向內間隔開，在所述第一環形泄氣槽和所述第二環形泄氣槽之間設置氣浮區；

所述氣足本體的底面上還具有位于所述第二環形泄氣槽內的真空預載區；

所述氣足本體的各側面和/或各倒角面上均開設有泄氣口；所述氣足本體內開設有與所述第一環形泄氣槽和所述第二環形泄氣槽相連通的多個泄氣通道；所述多個泄氣通道分別與各泄氣口連通。

2.根據權利要求1所述的氣足，其特征在于，各所述泄氣口沿周向等角度設置。

3.根據權利要求1所述的氣足，其特征在于，所述倒角面與其相鄰的兩個側面的夾角相同。

4.根據權利要求3所述的氣足，其特征在于，各所述倒角面的倒角深度為8-20mm。

5.根據權利要求1所述的氣足，其特征在于，所述第一環形泄氣槽與所述第二環形泄氣槽與所述氣足本體同軸設置；

所述氣足本體的底面上開設有與所述氣足本體同軸設置的真空孔，所述真空孔位于所述真空預載區內；所述氣足本體內設有與所述真空孔相通的真空氣道，所述真空氣道與外界相通。

6.根據權利要求5所述的氣足，其特征在于，所述氣足本體具有與所述底面相對設置的頂面；

所述真空孔貫穿所述氣足本體的底面和所述氣足本體的頂面；

所述氣足還包括堵住所述真空孔位于所述氣足本體的頂面一端的堵頭。

7.根據權利要求5所述的氣足，其特征在于，任意一個所述倒角面上開設有與所述真空氣道相連通的真空口。

8.根據權利要求1所述的氣足，其特征在于，所述氣足本體內設有用于進氣的正壓氣道；

所述氣足本體上開設有與所述正壓氣道相通的多個節流孔，所述節流孔設置在所述氣浮區內。

9.根據權利要求8所述的氣足，其特征在于，所述節流孔繞所述氣足本體的軸線等距環設。

10.根據權利要求8所述的氣足，其特征在于，至少一個所述倒角面上開設有進氣口；

所述正壓氣道包括：

進氣通道，開設在所述氣足本體內，且徑向延伸，與所述進氣口相連通；

走氣通道，環繞設置在所述氣足本體內，且與所述氣浮區同軸設置；所述走氣通道與所述進氣通道和各所述節流孔相連通。

11.根據權利要求10所述的氣足，其特征在于，各所述節流孔垂向設置，且與所述走氣通道相連通。

12.根據權利要求10所述的氣足，其特征在于，所述氣足本體具有與所述底面相對設置的頂面，所述氣足本體的頂面上開設有與所述走氣通道相連通的環形開口槽；

所述氣足還包括：封住所述環形開口槽的密封墊。