[發明專利]柱狀銅凸點、半導體芯片及半導體裝置在審
| 申請號： | 202011243111.7 | 申請日： | 2020-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN112928087A | 公開（公告）日： | 2021-06-08 |
| 發明（設計）人： | 山本研吾;伊藤大介;大久保光晃;內田健二 | 申請（專利權）人： | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋曉寶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柱狀 銅凸點 半導體 芯片 裝置 | ||
1.一種柱狀銅凸點，形成在半導體芯片的電極墊上，并具有：
第1銅層；
第1金屬層，形成在所述第1銅層的正上方；
第2銅層，形成在所述第1金屬層的正上方；及
第2金屬層，形成在所述第2銅層的正上方，
其中，
所述第1金屬層和所述第2金屬層由蝕刻速率與銅不同的金屬形成，
所述第1金屬層的外周側在所述第1銅層的側面的外側呈環狀凸起，
所述第2金屬層的外周側在所述第2銅層的側面的外側呈環狀凸起。
2.如權利要求1所述的柱狀銅凸點，其中，
種子層形成在所述第1銅層的正下方，
所述第1金屬層的外周側在所述第1銅層的側面的外側進行凸起的凸起量和所述第2金屬層的外周側在所述第2銅層的側面的外側進行凸起的凸起量大于所述種子層的厚度。
3.如權利要求1或2所述的柱狀銅凸點，其中，
所述第1金屬層和所述第2金屬層的材料為Ni、Cr、Ti、Ta、Co、Au、Ag、Pt及Pd中的任意一種。
4.如權利要求3所述的柱狀銅凸點，其中，
所述第1金屬層和所述第2金屬層的材料為Ni、Cr、Ti、Ta及Co中的任意一種。
5.如權利要求1或2所述的柱狀銅凸點，其中，
至少一層以上的層疊膜形成在所述第1金屬層和所述第2銅層之間，所述層疊膜由銅層和金屬層依次層疊而成，所述金屬層由蝕刻速率與銅不同的金屬形成，
所述金屬層的外周側在所述銅層的側面的外側呈環狀凸起。
6.如權利要求1或2所述的柱狀銅凸點，其中，
焊料層形成在所述第2金屬層的正上方。
7.如權利要求1或2所述的柱狀銅凸點，其中，
金屬層形成在所述第2金屬層的正上方，所述金屬層由焊料潤濕性優于所述第2金屬層的材料構成。
8.如權利要求1或2所述的柱狀銅凸點，其中，
銅層和焊料層依次層疊在所述第2金屬層的正上方。
9.一種半導體芯片，其中，如權利要求1至8中的任一項的柱狀銅凸點形成在電極墊上。
10.一種半導體裝置，具有：
配線基板；及
如權利要求9所述的半導體芯片，
其中，所述配線基板和所述半導體芯片經由所述柱狀銅凸點電連接。
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