[發明專利]一種3D晶圓的槽式定位方法

在審

• 申請號: 202011240686.3
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112435987A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 李峰;楊健;張光明
• 申請（專利權）人: 太極半導體（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/68
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246
• 代理人: 于浩江

本發明公開了一種3D晶圓的槽式定位方法，包含晶圓和定位感應器；先在晶圓的邊緣加工出定位槽，再對晶圓進行環切，去除晶圓外圈厚度異常部位，去除掉的環切部位的外徑與內徑之差小于定位槽的深度；使晶圓在環切之后，外圈上仍然留有部分定位槽結構；定位感應器對晶圓環切之后余下部分的定位槽進行識別，進而對晶圓進行定位；本方案在晶圓的邊緣加工出定位槽，定位槽伸入到晶圓有效區域內部，為3D晶圓的邊沿的二次加工提出可能性，使3D晶圓外圍去除掉以后，不影響晶圓定位，并提高了可檢測檢查面積，減小定位難度。

技術領域

本發明涉及一種3D晶圓的槽式定位方法，屬于半導體加工技術領域。

背景技術

晶圓在加工時需要先通過識別傳感器定位，現有的方法是在晶圓的外緣邊上做一個小的缺口，但由于目前3D晶圓的實施，晶圓外圍厚度出現了變化，導致設備在晶圓定位時頻繁出現“定位不良”報警，嚴重影響生產效率。

發明內容

針對上述存在的技術問題，本發明的目的是：提出了一種3D晶圓的槽式定位方法。

本發明的技術解決方案是這樣實現的：一種3D晶圓的槽式定位方法，包含晶圓和定位感應器；先在晶圓的邊緣加工出定位槽，再對晶圓進行環切，去除晶圓外圈厚度異常部位，去除掉的環切部位的外徑與內徑之差小于定位槽的深度；使晶圓在環切之后，外圈上仍然留有部分定位槽結構；定位感應器對晶圓環切之后余下部分的定位槽進行識別，進而對晶圓進行定位。

優選的，所述定位槽的深度為3-8mm。

優選的，所述定位槽為矩形槽。

優選的，所述定位槽的中心線穿過晶圓的圓心。

優選的，所述定位槽由激光或物理切割的方式加工而成。

優選的，所述定位感應器為感光傳感器。

由于上述技術方案的運用，本發明與現有技術相比具有下列優點：

本方案在晶圓的邊緣加工出定位槽，定位槽伸入到晶圓有效區域內部，為3D晶圓的邊沿的二次加工提出可能性，使3D晶圓外圍去除掉以后，不影響晶圓定位，并提高了可檢測檢查面積，減小定位難度。

附圖說明

下面結合附圖對本發明技術方案作進一步說明：

附圖1為本發明所述的一種3D晶圓的槽式定位方法的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖來說明本發明。

如附圖1所示，本發明所述的一種3D晶圓的槽式定位方法，包含晶圓1和定位感應器2；先在晶圓1的邊緣加工出定位槽3，定位槽3可以是矩形槽，或者其他長形的規則形狀，矩形槽沿長邊方向的的中心線穿過晶圓1的圓心；定位槽3通過激光或物理切割的方式加工而成，定位槽3的深度為3-8mm，再對晶圓1進行環切，去除晶圓1外圈厚度異常部位，去除掉的環切部位4的外徑與內徑之差小于定位槽3的深度；使晶圓1在環切之后，外圈上仍然留有部分定位槽3結構。

在研磨、貼膜、切割設備上加裝定位感應器2，需要定位加工時，通過定位感應器2對晶圓1環切之后余下部分的定位槽3進行識別，進而對晶圓1進行定位，定位感應器2優選為感光傳感器。

上述實施例只為說明本發明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發明的內容并加以實施，并不能以此限制本發明的保護范圍，凡根據本發明精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護范圍內。