[發明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202011240168.1 | 申請日: | 2020-11-09 | 
| 公開(公告)號: | CN112366208A | 公開(公告)日: | 2021-02-12 | 
| 發明(設計)人: | 盧玉群;李杰;虞陽;姜春桐;陳騰;王玲玲;王文強 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方顯示技術有限公司 | 
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 | 
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 張筱寧 | 
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本申請提供了一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。顯示面板,包括:基底,基底包括屏下攝像頭區域,屏下攝像頭區域包括開口區,還包括:柔性層,位于基底一側,在基底上的正投影與開口區無重疊。背板層,位于柔性層遠離基底一側,包括多層透光膜層,且至少一層透光膜層在基底上的正投影覆蓋開口區。發光器件層,位于背板層遠離基底一側,包括陰極,陰極在基底上的正投影與開口區無重疊。這使得開口區內的通孔變為盲孔,開口區位置處開孔的孔深變淺,在進行后續封裝時,容易使得有機封裝層流平。另外,陰極在基底上的正投影與開口區無重疊,盲孔處沒有陰極層,不需要進行陰極去除,采用正常的能量就可以進行激光剝離工藝,分離基底和柔性層。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體為一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
隨著科技不斷的進步,人們對智能終端(例如,手機)的需求和要求日益增長,屏下攝像頭技術的出現越來越受到用戶的歡迎。目前的屏下攝像頭顯示面板制備工藝采用的是在背板工藝中通過氣體刻蝕的方法將屏下攝像頭部分未顯示區域進行刻蝕,形成開口區(AAHole),之后,整個顯示面板進行正常的發光器件層和封裝層制作工藝,之后再進行激光剝離工藝。
但是,本申請的發明人發現,目前的屏下攝像頭顯示面板制備工藝存在以下三點技術問題:
(1)激光剝離工藝過程中,高能量激光會造成開口區及其附近區域產生較多灰化殘留,影響顯示面板的透過率;(2)部分開口區位置處會出現膜層剝離風險;(3)封裝層制作工藝過程中,導致有機封裝層流平困難,影響正常工藝。
發明內容
有鑒于此,本申請提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,用于解決現有技術屏下攝像頭顯示面板存在的由于灰化殘留而影響顯示面板透過率、有機封裝層流平困難以及存在膜層剝離風險的問題。
為了解決上述問題,本申請實施例主要提供如下技術方案:
在第一方面中,本申請實施例公開了一種顯示面板,包括:基底,所述基底包括屏下攝像頭區域,所述屏下攝像頭區域包括開口區,還包括:
柔性層,位于所述基底一側,在所述基底上的正投影與所述開口區無重疊;
背板層,位于所述柔性層遠離所述基底一側,包括多層透光膜層,且至少一層所述透光膜層在所述基底上的正投影覆蓋所述開口區;
發光器件層,位于所述背板層遠離所述基底一側,包括陰極,所述陰極在所述基底上的正投影與所述開口區無重疊。
可選地,所述背板層包括:依次疊層在所述柔性層上的第一透光膜層、有源層、第二透光膜層、柵極、第三透光膜層、源漏極、第四透光膜層、第五透光膜層、陽極、第六透光膜層和第七透光膜層;其中:
所述第一透光膜層、所述第二透光膜層、所述第三透光膜層和所述第四透光膜層為無機膜層;
所述第五透光膜層、所述第六透光膜層和所述第七透光膜層為有機膜層。
可選地,在所述開口區:所述基底被所述第五透光膜層、所述第六透光膜層和所述第七透光膜層中的一層或多層覆蓋。
可選地,在所述開口區:所述基底被所述第一透光膜層、所述第二透光膜層、所述第三透光膜層和所述第四透光膜層中的一層或多層覆蓋。
可選地,在所述開口區:基底被所述第一透光膜層、所述第二透光膜層、所述第三透光膜層、所述第四透光膜層、所述第五透光膜層、所述第六透光膜層和所述第七透光膜層中的一層或多層覆蓋。
可選地,所述發光器件層包括:依次疊層設置的有機發光層、陰極、光耦合層和光取出層;
所述有機發光層、所述光耦合層和所述光取出層分別在所述基底上的正投影區域均覆蓋所述開口區;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





