[發明專利]顯示設備和制造顯示設備的方法

在審

• 申請號: 202011239736.6
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112786664A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 金宰范;金明鎬;孫暻錫;李承俊;李昇憲;林俊亨
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 嚴芬;康泉

1.一種顯示設備，包括：

基板；

設置在所述基板上的第一有源層；

設置在所述第一有源層上的第一絕緣層；

設置在所述第一絕緣層上的第一柵電極，所述第一柵電極與所述第一有源層重疊；

設置在所述第一柵電極上的第二絕緣層；

設置在所述第二絕緣層上的第二有源層；

設置在所述第二絕緣層上的第一電容器電極，所述第一電容器電極與所述第一柵電極重疊；

設置在所述第二有源層和所述第一電容器電極上的第三絕緣層；

設置在所述第三絕緣層上的第二柵電極，所述第二柵電極與所述第二有源層重疊；以及

設置在所述第三絕緣層上的第二電容器電極，所述第二電容器電極與所述第一柵電極重疊并且電連接到所述第一電容器電極。

2.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第一電容器電極和所述第二有源層包括相同的材料。

3.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第一有源層包括多晶硅。

4.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第二絕緣層包括氮化硅。

5.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第二絕緣層的介電常數大于所述第三絕緣層的介電常數。

6.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第二有源層和所述第一電容器電極各自包括氧化物半導體。

7.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第三絕緣層包括氧化硅。

8.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第三絕緣層的氫含量小于所述第二絕緣層的氫含量。

9.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第二電容器電極不與所述第一電容器電極重疊。

10.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第二電容器電極與所述第一電容器電極重疊。

11.根據權利要求1所述的顯示設備，進一步包括：

設置在所述第二柵電極和所述第二電容器電極上的第四絕緣層；和

設置在所述第四絕緣層上的連接電極，所述連接電極將所述第二電容器電極和所述第一電容器電極電連接。

12.根據權利要求11所述的顯示設備，其中，恒定電壓被施加到所述連接電極。

13.根據權利要求11所述的顯示設備，進一步包括：

設置在所述第四絕緣層上并且電連接到所述第一有源層的第一源電極和第一漏電極；和

設置在所述第四絕緣層上并且電連接到所述第二有源層的第二源電極和第二漏電極，

其中，所述連接電極、所述第一源電極、所述第一漏電極、所述第二源電極和所述第二漏電極設置在同一層上。

14.根據權利要求13所述的顯示設備，進一步包括：

電連接到所述第一源電極或所述第一漏電極的像素電極；

設置在所述像素電極上的發射層；和

設置在所述發射層上的對電極。

15.根據權利要求1所述的顯示設備，進一步包括：

設置在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間的下電極，所述下電極與所述第二有源層重疊。

16.根據權利要求15所述的顯示設備，其中，所述下電極電連接到所述第二柵電極。