[發明專利]陣列基板的制備方法及陣列基板

有效

• 申請號: 202011239652.2
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112366178B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 劉凈
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 高楊麗

本發明提供一種陣列基板的制備方法及陣列基板。所述陣列基板的制備方法包括在銅電極層下方設置金屬阻擋層，且銅電極層厚度為所述金屬阻擋層為或者所述銅電極層厚度為所述金屬阻擋層為本申請提供的陣列基板的制備方法通過減少金屬阻擋層的厚度，可有效實現陣列基板量產過程中薄銅產品和厚銅產品的濕刻蝕兼容性，降低量產薄銅產品向厚銅產品切換時的新增制造費用，并減少蝕刻后金屬殘留。

技術領域

本申請涉及液晶顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板的制備方法及陣列基板。

背景技術

隨著信息技術的進步，顯示屏已逐漸向高品質化和高功能化的方向發展。顯示屏的功能越多，畫質越高，薄膜晶體管陣列(Thin Film Transistor,TFT)電路就越復雜，金屬線越長，從而造成信號的延遲。目前，因為銅具有更好的電導率和更低的阻抗，面板工藝中銅制程已經取代了鋁制程。通常，會在銅金屬線和玻璃基板之間加上薄薄的一層金屬阻擋層材料，從而增加銅電極與玻璃基板的黏附性。

為了進一步減少TFT復雜電路上的信號延遲，厚銅技術(銅厚大于)已經被運用至高端顯示面板制造工藝中，如8K顯示技術、銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium ZincOxide，IGZO)顯示技術、有機發光半導體(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示技術。但是，厚銅產品的濕刻蝕特性與薄銅產品存在較大差異。量產化的濕刻蝕工藝中，在保證相同的CD loss(金屬線上方光阻寬度與濕蝕刻后金屬線寬的差值)條件下，厚銅產品因擁有更厚的金屬銅厚，蝕刻后更容易出現刻蝕不盡的問題，導致金屬殘留的存在，從而影響面板生產工藝的整體良率。

發明內容

為改善現有技術的缺陷，本申請提供一種陣列基板的制備方法及陣列基板。所述陣列基板的制備方法通過減小厚銅產品中金屬阻擋層的厚度，可以大大提高量產時薄銅產品和厚銅產品的濕刻蝕兼容性，降低量產薄銅產品向厚銅產品切換時的新增制造費用，并減少蝕刻后金屬殘留。

本申請提供如下技術方案：

第一方面，本申請提供一種陣列基板的制備方法，包括如下步驟：

S1.提供一基板；

S2.在所述基板上設置一第一金屬阻擋層；

S3.在所述第一金屬阻擋層表面設置一第一銅電極層；以及

S4.蝕刻所述第一銅電極層和所述第一金屬阻擋層，形成柵導體層；

其中，所述柵導體層包括柵極、柵線和柵焊盤，所述第一銅電極層厚度為所述第一金屬阻擋層為/或者所述第一銅電極層厚度為所述第一金屬阻擋層為/

在本申請的制備方法中，所述第一銅電極層厚度為所述第一金屬阻擋層為/并且，所述步驟S4包括：

S4a在所述第一銅電極層上涂布光阻、顯影；以及

S4b濕法蝕刻所述第一銅電極層和所述第一金屬阻擋層，形成柵導體層。

在本申請的制備方法中，所述第一銅電極層厚度為所述第一金屬阻擋層為/并且，所述步驟S4包括：

S4c在所述第一銅電極層上涂布光阻、顯影、烘烤；以及

S4d濕法蝕刻所述第一銅電極層和所述第一金屬阻擋層，形成柵導體層。

在本申請的制備方法中，所述制備方法在所述步驟S4之后還包括如下步驟：

S5在所述柵導體層上設置一柵極絕緣層，以覆蓋所述柵導體層；

S6在所述柵極絕緣層上依次設置一活性層和一歐姆接觸層；以及

S7在所述歐姆接觸層上設置數據線、數據焊盤、源極和漏極；