[發明專利]陣列基板的制備方法及陣列基板有效
| 申請號： | 202011239652.2 | 申請日： | 2020-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN112366178B | 公開（公告）日： | 2023-03-28 |
| 發明（設計）人： | 劉凈 | 申請（專利權）人： | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 高楊麗 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 制備 方法 | ||
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1.提供一基板；
S2.在所述基板上設置一第一金屬阻擋層；
S3.在所述第一金屬阻擋層表面設置一第一銅電極層；以及
S4.蝕刻所述第一銅電極層和所述第一金屬阻擋層，形成柵導體層；
其中，所述柵導體層包括柵極、柵線和柵焊盤，所述第一銅電極層厚度為5000-10000?，所述第一金屬阻擋層為50-200?，或者所述第一銅電極層厚度為2000-5000?，所述第一金屬阻擋層為200-500?；
所述第一銅電極層厚度為5000-10000?，所述第一金屬阻擋層為50-200?，并且，所述步驟S4包括：
S4a在所述第一銅電極層上涂布光阻、顯影；以及
S4b濕法蝕刻所述第一銅電極層和所述第一金屬阻擋層，形成柵導體層；
所述第一銅電極層厚度為2000-5000?，所述第一金屬阻擋層為200-500?，并且，所述步驟S4包括：
S4c在所述第一銅電極層上涂布光阻、顯影、烘烤；以及
S4d濕法蝕刻所述第一銅電極層和所述第一金屬阻擋層，形成柵導體層。
2.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法在所述步驟S4之后還包括如下步驟：
S5在所述柵導體層上設置一柵極絕緣層，以覆蓋所述柵導體層；
S6在所述柵極絕緣層上依次設置一活性層和一歐姆接觸層；以及
S7在所述歐姆接觸層上設置數據線、數據焊盤、源極和漏極；
其中，所述數據線、數據焊盤、源極和漏極中的至少一種包括由下至上堆疊的第二金屬阻擋層和第二銅電極層。
3.根據權利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第二銅電極層上還設置有第三金屬阻擋層。
4.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一金屬阻擋層的材料選自鉬、鉬的二元合金或者鉬的三元合金中的一種或多種。
5.根據權利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第二金屬阻擋層的材料選自鉬、鉬的二元合金或者鉬的三元合金中的一種或多種。
6.根據權利要求3所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第三金屬阻擋層的材料選自鉬、鉬的二元合金或者鉬的三元合金中的一種或多種。
7.根據權利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述活性層的材料為非晶硅或者氧化物半導體。
8.由權利要求1-7任一項所述的制備方法制備得到的陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
