[發明專利]半導體封裝件和堆疊封裝型封裝件

在審

• 申請號: 202011239584.X
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112820704A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 趙暎相
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L25/10;H01L25/18
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

一種半導體封裝件包括：第一封裝基板；第一半導體器件，所述第一半導體器件安裝在所述第一封裝基板上；第二封裝基板，所述第二封裝基板布置在所述第一半導體器件的上部上；和散熱材料層，所述散熱材料層布置在所述第一半導體器件和所述第二封裝基板之間，并且具有大約0.5W/m·K至大約20W/m·K的熱導率，其中，所述散熱材料層與所述第一半導體器件的上表面和所述第二封裝基板的導體直接接觸。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年11月15日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0146960的權益，其公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

發明構思涉及半導體封裝件和堆疊封裝(PoP)型封裝件，并且更具體地，涉及能夠順利地釋放從位于半導體封裝件和PoP型封裝件的下部處的半導體器件產生的熱的半導體封裝件和PoP型封裝件。

背景技術

隨著半導體元件的運行速度的提高，從半導體元件產生的熱也增加。除非所產生的熱從半導體元件順利地消散，否則包括半導體元件的半導體器件可能被損壞或其性能可能降低。因此，需要一種快速消散從半導體元件產生的熱以保持半導體元件的可靠性并使得半導體元件能夠順利運行的方法。特別地，當從PoP型半導體封裝件中的下封裝件產生的熱沒有快速消散時，該熱會積聚在下封裝件中，從而損壞下封裝件或影響其性能。

發明內容

發明構思提供了一種半導體封裝件，該半導體封裝件能夠順利地消散從半導體器件產生的熱。

發明構思還提供了一種堆疊封裝(PoP)型封裝件，該PoP型封裝件能夠順利地消散從位于其下部處的半導體器件產生的熱。

根據發明構思的實施例，半導體封裝件包括：第一封裝基板；第一半導體器件，所述第一半導體器件位于所述第一封裝基板上；第二封裝基板，所述第二封裝基板位于所述第一半導體器件的上部上；和散熱材料層，所述散熱材料層位于所述第一半導體器件和所述第二封裝基板之間。所述散熱材料層具有大約0.5W/m·K至大約20W/m·K的熱導率。所述散熱材料層與所述第一半導體器件的上表面和所述第二封裝基板的導體直接接觸。

根據發明構思的另一實施例，堆疊封裝(PoP)型封裝件包括：第一封裝件；第二封裝件，所述第二封裝件位于所述第一封裝件的上部上；和散熱材料層。所述第一封裝件包括位于第一封裝基板上的第一半導體器件。所述第二封裝件包括位于第二封裝基板上的第二半導體器件。所述第二封裝基板包括：芯層；在所述芯層的上表面上延伸的上布線；在所述芯層的下表面上延伸的下布線；覆蓋所述芯層的所述上表面和所述上布線的至少一部分的上絕緣體層；以及覆蓋所述芯層的所述下表面和所述下布線的至少一部分的下絕緣體層。所述散熱材料層通過所述下絕緣體層和所述第一半導體器件的上表面與所述暴露的下布線物理接觸。所述下絕緣體層至少部分地暴露所述下布線以提供暴露的下布線。

根據發明構思的另一實施例，堆疊封裝(PoP)型封裝件包括：第一封裝件；位于所述第一封裝件的上部上的第二封裝件；和散熱材料層，所述散熱材料層位于所述第一封裝基板和所述第二封裝基板之間。所述第一封裝件包括位于第一封裝基板上的第一半導體器件。所述第二封裝件包括位于第二封裝基板上的第二半導體器件。所述第一封裝基板包括第一芯層、位于所述第一芯層的上部上的第一上焊盤和位于所述第一芯層的下部上的第一下焊盤。所述第二封裝基板包括：第二芯層；位于所述第二芯層的上部上的第二上焊盤；位于所述第二芯層的下部上的第二下焊盤；在所述第二芯層的所述下部上延伸的下布線；形成所述第二封裝基板的下表面同時至少部分地暴露所述下布線以提供暴露的下布線的下絕緣體層。所述散熱材料層包括聚合物基質和分散在所述聚合物基質中的絕緣無機顆粒。所述絕緣無機顆粒的熱導率是所述下絕緣體層的熱導率的10倍或更大，并且所述散熱材料層與所述第二封裝基板的所述暴露的下布線物理接觸并且與所述第一半導體器件的上表面物理接觸。

附圖說明

通過以下結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解發明構思的實施例，在附圖中：