[發明專利]半導體封裝件和堆疊封裝型封裝件

在審

• 申請號: 202011239584.X
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112820704A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 趙暎相
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L25/10;H01L25/18
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種半導體封裝件，包括：

第一封裝基板；

第一半導體器件，所述第一半導體器件位于所述第一封裝基板上；

第二封裝基板，所述第二封裝基板位于所述第一半導體器件的上部上，所述第二封裝基板包括導體；和

散熱材料層，所述散熱材料層位于所述第一半導體器件和所述第二封裝基板之間，所述散熱材料層具有0.5W/m·K至20W/m·K的熱導率，并且所述散熱材料層與所述第一半導體器件的上表面和所述第二封裝基板的所述導體直接接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第二封裝基板包括：

下焊盤，所述下焊盤通過連接端子連接到所述第一半導體器件，所述下焊盤位于所述第二封裝基板的面向所述第一半導體器件的第一表面上；

下布線，所述下布線位于所述第二封裝基板的所述第一表面上，所述下布線不通過所述連接端子連接到所述第一半導體器件；和

下絕緣體層，所述下絕緣體層位于所述第二封裝基板的所述第一表面上，所述下絕緣體層暴露所述下焊盤和所述下布線。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中，所述第二封裝基板的所述導體是所述第二封裝基板的所述下布線。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其中，

所述下布線的暴露的部分通過所述下絕緣體層中的開口暴露，并且

所述散熱材料層在所述下布線的所述暴露的部分的整個面積上與所述下布線接觸。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中，

所述下絕緣體層包括暴露所述下布線的下表面的多個開口，并且

所述散熱材料層通過所述多個開口接觸所述下布線。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中，所述下絕緣體層包括：

第一部分，所述第一部分包圍所述開口的外圍；和

第二部分，所述第二部分為被所述第一部分包圍并與所述第一部分間隔開的島的形式；并且

所述開口由所述第一部分和所述第二部分限定。

7.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中，所述下布線在與所述第二封裝基板的下表面平行的方向上的尺寸是所述下焊盤的尺寸的2.5倍至100倍。

8.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中，突出到所述第二封裝基板的所述下表面上的所述下布線的平面面積是所述下焊盤的平面面積的5倍至10,000倍。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝件，其中，所述下布線包括穿過所述下布線的穿孔部分。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，

所述散熱材料層包括聚合物基質和分散在所述聚合物基質中的絕緣無機顆粒，并且

所述無機顆粒包括金屬氧化物、準金屬氧化物、金屬氮化物和準金屬氮化物中的至少一種。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述散熱材料層接觸所述第一半導體器件的側表面。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝件，其中，所述散熱材料層接觸所述第一封裝基板的上表面的至少一部分。