[發明專利]一種3D晶圓環切后的定位方法在審
| 申請號： | 202011239336.5 | 申請日： | 2020-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN112509960A | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發明（設計）人： | 李峰;楊健;張光明 | 申請（專利權）人： | 太極半導體（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/68 | 分類號： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 于浩江 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 圓環 定位 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種3D晶圓環切后的定位方法，其特征在于：先對晶圓（1）進行環切，去除晶圓（1）外圈的厚度異常部位（2），再對環切后的晶圓（1）進行兩道平切，加工出一道短邊（3）和一道長邊（4）；通過物理方式對短邊（3）的一側進行定位，通過感光傳感器識別長邊（3），進行長邊一側的定位。
2.根據權利要求1所述的3D晶圓環切后的定位方法，其特征在于：所述短邊（3）與長邊（4）的中心線互相垂直。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
