[發明專利]一種3D晶圓環切后的定位方法在審
| 申請號: | 202011239336.5 | 申請日: | 2020-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN112509960A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 李峰;楊健;張光明 | 申請(專利權)人: | 太極半導體(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246 | 代理人: | 于浩江 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 圓環 定位 方法 | ||
本發明公開了一種3D晶圓環切后的定位方法,先對晶圓進行環切,去除晶圓外圈的厚度異常部位,再對環切后的晶圓進行兩道平切,加工出一道短邊和一道長邊;通過物理方式對短邊的一側進行定位,通過感光傳感器識別長邊,進行長邊一側的定位;本方案取消了晶圓邊緣的定位點,為3D晶圓的邊沿的二次環切加工提出可能性;并在環切后的晶圓的邊緣加工出長短邊,設備鏡頭識別長邊,同時利用另外一個短邊實現物理定位,提高了可檢測檢查的面積,減小定位難度,結合了光學定位和物理定位的優點,提高定位精度。
技術領域
本發明涉及一種3D晶圓環切后的定位方法,屬于半導體加工技術領域。
背景技術
晶圓在加工時需要先通過識別傳感器定位,現有的方法是在晶圓的外緣邊上做一個小的定位點,但由于目前3D晶圓的實施,晶圓外圍厚度出現了變化,導致設備在晶圓定位時頻繁出現“定位不良”報警,嚴重影響生產效率。
發明內容
針對上述存在的技術問題,本發明的目的是:提出了一種3D晶圓環切后的定位方法。
本發明的技術解決方案是這樣實現的:一種3D晶圓環切后的定位方法,先對晶圓進行環切,去除晶圓外圈的厚度異常部位,再對環切后的晶圓進行兩道平切,加工出一道短邊和一道長邊;通過物理方式對短邊的一側進行定位,通過感光傳感器識別長邊,進行長邊一側的定位。
優選的,所述短邊與長邊的中心線互相垂直。
由于上述技術方案的運用,本發明與現有技術相比具有下列優點:
本方案取消了晶圓邊緣的定位點,為3D晶圓的邊沿的二次環切加工提出可能性;并在環切后的晶圓的邊緣加工出長短邊,設備鏡頭識別長邊,同時利用另外一個短邊實現物理定位,提高了可檢測檢查的面積,減小定位難度,結合了光學定位和物理定位的優點,提高定位精度。
附圖說明
下面結合附圖對本發明技術方案作進一步說明:
附圖1為本發明所述的一種3D晶圓環切后的定位方法的示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖來說明本發明。
如附圖1所示,本發明所述的一種3D晶圓環切后的定位方法,先對晶圓1進行環切,去除晶圓1外圈的厚度異常部位2,再對環切后的晶圓1進行兩道平切,加工出一道短邊3和一道長邊4;短邊3和長邊4通過激光或物理切割的方式加工而成,短邊3與長邊4的中心線互相垂直。
通過物理方式對短邊3的一側進行定位,如平臺對靠等方式;同時通過鏡頭等感光傳感器識別長邊3,進行長邊一側的定位。
上述實施例只為說明本發明的技術構思及特點,其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發明的內容并加以實施,并不能以此限制本發明的保護范圍,凡根據本發明精神實質所作的等效變化或修飾,都應涵蓋在本發明的保護范圍內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





