[發明專利]顯示裝置及其形成方法在審
| 申請號: | 202011237628.5 | 申請日: | 2020-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN113206127A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發明(設計)人: | 張永昌;劉銘棋 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 形成 方法 | ||
在一些實施例中,本公開涉及一種顯示裝置,所述顯示裝置包括第一反射器電極及與第一反射器電極隔開的第二反射器電極。顯示裝置還包括上覆在第一反射器電極及第二反射器電極上的隔離結構。隔離結構包括第一部分及第二部分。第一部分上覆在第一反射器電極上且具有第一厚度。第二部分上覆在第二反射器電極上,具有大于第一厚度的第二厚度,且與隔離結構的第一部分隔開。顯示裝置還包括分別上覆在隔離結構的第一部分及第二部分上的第一光學發射體結構及第二光學發射體結構。
技術領域
本公開實施例涉及一種顯示裝置及其形成方法。
背景技術
例如電視及蜂窩式裝置等許多現代電子裝置使用圖像顯示裝置來將數字數據轉換成光學圖像。為實現此目的,圖像顯示裝置可包括像素區陣列。每一像素區可具有光學發射體結構且可耦合到半導體裝置。半導體裝置可對光學發射體結構選擇性地施加電信號(例如,電壓)。在施加電信號之后,光學發射體結構可發射光學信號(例如,光)。光學發射體結構可例如為有機發光二極管(organic light emitting diode,OLED)或某種其他適合的發光裝置。
發明內容
根據本公開的實施例,一種顯示裝置包括第一反射器電極、第二反射器電極、隔離結構、第一光學發射體結構及第二光學發射體結構。第二反射器電極與所述第一反射器電極隔開。隔離結構上覆在所述第一反射器電極及所述第二反射器電極上,所述隔離結構包括上覆在所述第一反射器電極上且具有第一厚度的第一部分以及上覆在所述第二反射器電極上的第二部分。第二部分具有大于所述第一厚度的第二厚度,且與所述隔離結構的所述第一部分隔開。第一光學發射體結構及第二光學發射體結構分別上覆在所述隔離結構的所述第一部分及所述第二部分上。
根據本公開的實施例,一種顯示裝置包括第一反射器電極、第二反射器電極、第一隔離層、第二隔離層、第一光學發射體結構、第二光學發射體結構、第一導電結構及第二導電結構。第一反射器電極及第二反射器電極位于內連結構之上。第一隔離層包括一對段,所述一對段彼此間隔開且分別上覆在所述第一反射器電極及所述第二反射器電極上。第二隔離層上覆在所述第一隔離層及所述第二反射器電極上,但不上覆在所述第一反射器電極上。所述第一光學發射體結構上覆在所述第一隔離層及所述第一反射器電極上,所述第二光學發射體結構上覆在所述第二隔離層及所述第二反射器電極上。第一導電結構及第二導電結構分別從所述第一反射器電極延伸到所述第一光學發射體結構及從所述第二反射器電極延伸到所述第二光學發射體結構,其中所述第一導電結構延伸穿過所述第一隔離層,且其中所述第二導電結構延伸穿過所述第一隔離層及所述第二隔離層。
根據本公開的實施例,一種形成顯示裝置的方法包括:在內連結構之上形成第一反射器電極及第二反射器電極,其中所述第一反射器電極與所述第二反射器電極在側向上隔開;在所述第一反射器電極及所述第二反射器電極之上沉積第一隔離層;形成直接上覆在所述第一反射器電極上但不上覆在所述第二反射器電極上的第一遮蔽層;在所述第一隔離層之上及所述第一遮蔽層之上沉積第二隔離層;在所述第二隔離層之上形成第二遮蔽層,且所述第二遮蔽層直接上覆在所述第二反射器電極上但不上覆在所述第一反射器電極上;執行第一移除工藝,以移除所述第一隔離層的及所述第二隔離層的未被所述第一遮蔽層或所述第二遮蔽層覆蓋的多個部分;以及執行第二移除工藝,以移除所述第一遮蔽層及所述第二遮蔽層。
附圖說明
結合附圖閱讀以下詳細說明,能最好地理解本公開的各個方面。應注意,根據本行業中的標準慣例,各種特征并非按比例繪制。事實上,為使論述清晰起見,可任意地增大或減小各種特征的尺寸。
圖1例示顯示裝置的一些實施例的剖視圖,所述顯示裝置具有布置在反射器電極結構之上的隔離結構,其中隔離結構包括第一部分且還包括與第一部分間隔開并具有與第一部分不同的厚度的第二部分。
圖2例示圖1中的顯示裝置的一些附加實施例的剖視圖、以及穿過隔離結構的一部分的示例性光路徑。
圖3及圖4例示圖1中的顯示裝置的一些附加實施例的剖視圖,其中顯示裝置包括具有不同材料層的隔離結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





