[發(fā)明專利]顯示裝置及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011237628.5
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN113206127A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張永昌;劉銘棋
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種顯示裝置，包括：

第一反射器電極；

第二反射器電極，與所述第一反射器電極隔開；

隔離結(jié)構(gòu)，上覆在所述第一反射器電極及所述第二反射器電極上，所述隔離結(jié)構(gòu)包括：

第一部分，上覆在所述第一反射器電極上且具有第一厚度，以及

第二部分，上覆在所述第二反射器電極上，具有大于所述第一厚度的第二厚度，且與所述隔離結(jié)構(gòu)的所述第一部分隔開；以及

第一光學(xué)發(fā)射體結(jié)構(gòu)及第二光學(xué)發(fā)射體結(jié)構(gòu)，分別上覆在所述隔離結(jié)構(gòu)的所述第一部分及所述第二部分上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中第一阻擋結(jié)構(gòu)布置在所述第一反射器電極與所述第二反射器電極之間，其中第二阻擋結(jié)構(gòu)布置在所述隔離結(jié)構(gòu)的所述第一部分與所述第二部分之間，且其中所述第二阻擋結(jié)構(gòu)直接上覆在所述第一阻擋結(jié)構(gòu)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第二阻擋結(jié)構(gòu)包含與所述隔離結(jié)構(gòu)不同的材料。

4.一種顯示裝置，包括：

第一反射器電極及第二反射器電極，位于內(nèi)連結(jié)構(gòu)之上；

第一隔離層，包括一對段，所述一對段彼此間隔開且分別上覆在所述第一反射器電極及所述第二反射器電極上；

第二隔離層，上覆在所述第一隔離層及所述第二反射器電極上，但不上覆在所述第一反射器電極上；

第一光學(xué)發(fā)射體結(jié)構(gòu)及第二光學(xué)發(fā)射體結(jié)構(gòu)，所述第一光學(xué)發(fā)射體結(jié)構(gòu)上覆在所述第一隔離層及所述第一反射器電極上，所述第二光學(xué)發(fā)射體結(jié)構(gòu)上覆在所述第二隔離層及所述第二反射器電極上；以及

第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，分別從所述第一反射器電極延伸到所述第一光學(xué)發(fā)射體結(jié)構(gòu)及從所述第二反射器電極延伸到所述第二光學(xué)發(fā)射體結(jié)構(gòu)，其中所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)延伸穿過所述第一隔離層，且其中所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)延伸穿過所述第一隔離層及所述第二隔離層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中阻擋結(jié)構(gòu)將所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)隔開，且其中所述阻擋結(jié)構(gòu)將所述第一光學(xué)發(fā)射體結(jié)構(gòu)與所述第二光學(xué)發(fā)射體結(jié)構(gòu)隔開。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中所述第一反射器電極具有第一平均表面粗糙度，且其中所述第二反射器電極具有約等于所述第一平均表面粗糙度的第二平均表面粗糙度。

7.一種形成顯示裝置的方法，包括：

在內(nèi)連結(jié)構(gòu)之上形成第一反射器電極及第二反射器電極，其中所述第一反射器電極與所述第二反射器電極在側(cè)向上隔開；

在所述第一反射器電極及所述第二反射器電極之上沉積第一隔離層；

形成直接上覆在所述第一反射器電極上但不上覆在所述第二反射器電極上的第一遮蔽層；

在所述第一隔離層之上及所述第一遮蔽層之上沉積第二隔離層；

在所述第二隔離層之上形成第二遮蔽層，且所述第二遮蔽層直接上覆在所述第二反射器電極上但不上覆在所述第一反射器電極上；

執(zhí)行第一移除工藝，以移除所述第一隔離層的及所述第二隔離層的未被所述第一遮蔽層或所述第二遮蔽層覆蓋的多個部分；以及

執(zhí)行第二移除工藝，以移除所述第一遮蔽層及所述第二遮蔽層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一移除工藝包括干式刻蝕，且其中所述第二移除工藝包括濕式刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述形成所述第一遮蔽層包括：

在所述第一隔離層之上沉積第一共形遮蔽層；

在所述第一共形遮蔽層之上沉積第一共形氧化物層；

使用干式刻蝕劑將所述第一共形氧化物層圖案化，以形成直接上覆在所述第一反射器電極上的第一氧化物層；以及

使用濕式刻蝕劑根據(jù)所述第一氧化物層將所述第一共形遮蔽層圖案化，以形成所述第一遮蔽層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在所述第二移除工藝之后，所述第一隔離層的第一段上覆在所述第一反射器電極上，且所述第一隔離層的第二段上覆在所述第二反射器電極上，其中所述第一隔離層的所述第一段與所述第一隔離層的所述第二段在側(cè)向上間隔開。