[發明專利]用于銅鉬膜層的蝕刻劑與銅鉬膜層的蝕刻方法

在審

• 申請號: 202011237543.7
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112522705A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 張月紅;何毅烽
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/26
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本發明公開了一種用于銅鉬膜層的蝕刻劑與銅鉬膜層的蝕刻方法，所述蝕刻劑包括蝕刻主劑，所述蝕刻主劑包括過氧化氫、螯合劑、第一無機酸以及水，所述螯合劑在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為2％?10％，所述第一無機酸在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為1％?10％，所述過氧化氫在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為4％?10％，通過調整螯合劑與無機酸的比例，可獲得較小的蝕刻錐形角，以滿足顯示面板更高對比度的需求，同時，不會出現易導致顯示面板不良的膜層底切或鉬殘等現象。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種用于銅鉬膜層的蝕刻劑與銅鉬膜層的蝕刻方法。

背景技術

基于顯示器的大型化以及畫質高清化的需求，電信號傳輸導線需使用電阻率更低的金屬作為材料。目前，金屬銅因具有較高的電導率，同時價格相對較低，已廣泛應用于大尺寸顯示器的制備中。但由于銅膜層與玻璃基板的粘附性較差，且銅原子易向氧化硅或者氮化硅膜內進行擴散，所以會在其與玻璃之間增加一層很薄的緩沖層，一般選用鉬或者鉬合金，即形成銅鉬疊層膜層。

對于銅鉬疊層膜層，在使用同一蝕刻劑，對化學性質不同的銅膜層以及鉬膜層同時進行蝕刻時，易出現蝕刻錐形角不佳，或是兩層膜層之間出現鉬底切等不良現象，而為了改善此不良，通常采用在蝕刻劑中加入氫氟酸、氟化銨等含有氟離子的添加劑，但會相應地帶來如下缺點：首先，含氟的蝕刻廢液處理成本高，對環境不友好；其次，由于蝕刻劑中含氟離子，易引發操作人員的健康隱患，更甚造成工安事故；另外，氟離子會對玻璃基板有一定的腐蝕作用，易造成玻璃基板的損傷。因此，亟需開發一種針對該種銅鉬疊層膜層的蝕刻劑，以獲得更佳的蝕刻效果。

發明內容

本發明提供一種用于銅鉬膜層的蝕刻劑與銅鉬膜層的蝕刻方法，可獲得較好的蝕刻效果。

為解決上述問題，第一方面，本發明提供了一種用于銅鉬膜層的蝕刻劑，所述蝕刻劑包括蝕刻主劑，所述蝕刻主劑包括過氧化氫、螯合劑、第一無機酸以及水；其中，所述螯合劑在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為2％-10％，所述第一無機酸在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為1％-10％，所述過氧化氫在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為4％-10％。

為解決上述問題，第二方面，本發明提供了一種銅鉬膜層的蝕刻方法，所述蝕刻方法包括：

提供一基板，所述基板上形成有所述銅鉬膜層，所述銅鉬膜層上形成有圖案化的光阻層，所述銅鉬膜層包括鉬膜層以及設于所述鉬膜層背離所述基板一側的銅膜層；

提供蝕刻主劑，并使用所述蝕刻主劑對所述圖案化的光阻層遮蔽下的所述銅鉬膜層進行蝕刻，其中，所述蝕刻主劑包括過氧化氫、螯合劑、第一無機酸以及水，所述螯合劑在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為2％-10％，所述第一無機酸在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為1％-10％，所述過氧化氫在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為4％-10％；以及

剝離去除所述圖案化的光阻層。

有益效果：本發明提供了一種用于銅鉬膜層的蝕刻劑與銅鉬膜層的蝕刻方法，其中，所述蝕刻劑包括蝕刻主劑，所述蝕刻主劑包括過氧化氫、螯合劑、無機酸以及水，所述螯合劑在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為2％-10％，所述無機酸在所述蝕刻主劑中的質量百分含量為1％-10％，通過調整螯合劑與無機酸的比例，可獲得較小的蝕刻錐形角，以滿足顯示面板更高對比度的需求，同時，不會出現易導致顯示面板不良的膜層底切或是鉬殘等現象。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明現有技術中由掃描電子顯微鏡表征的銅鉬膜層蝕刻后出現鉬底切現象的微觀形貌圖；

圖2是本發明現有技術中由掃描電子顯微鏡表征的銅鉬膜層蝕刻后出現鉬殘現象的微觀形貌圖；