[發(fā)明專利]用于銅鉬膜層的蝕刻劑與銅鉬膜層的蝕刻方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011237543.7
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112522705A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張月紅;何毅烽
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/26
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種用于銅鉬膜層的蝕刻劑，其特征在于，所述蝕刻劑包括蝕刻主劑，所述蝕刻主劑包括過氧化氫、螯合劑、第一無機酸以及水；其中，所述螯合劑在所述蝕刻主劑中的質(zhì)量百分含量為2％-10％，所述第一無機酸在所述蝕刻主劑中的質(zhì)量百分含量為1％-10％，所述過氧化氫在所述蝕刻主劑中的質(zhì)量百分含量為4％-10％。

2.如權(quán)利要求1所述的用于銅鉬膜層的蝕刻劑，其特征在于，所述螯合劑為第一有機酸。

3.如權(quán)利要求1或2所述的用于銅鉬膜層的蝕刻劑，其特征在于，所述蝕刻劑的pH值為4-5。

4.如權(quán)利要求1所述的用于銅鉬膜層的蝕刻劑，其特征在于，所述蝕刻主劑還包括緩沖劑與穩(wěn)定劑，所述緩沖劑在所述蝕刻主劑中的質(zhì)量百分含量為0.5％-5％，所述穩(wěn)定劑在所述蝕刻主劑中的質(zhì)量百分含量為0.5％-5％。

5.如權(quán)利要求4所述的用于銅鉬膜層的蝕刻劑，其特征在于，所述緩沖劑包括醋酸、醋酸鈉、磷酸氫鈉以及硼酸鈉中的至少一者，所述穩(wěn)定劑包括二乙胺五乙酸、硅酸鈉、氯化鎂、酒石酸以及磷酸三鈉中的至少一者。

6.如權(quán)利要求1所述的用于銅鉬膜層的蝕刻劑，其特征在于，所述蝕刻劑還包括蝕刻輔劑，所述蝕刻輔劑包括：第二有機酸和/或第二無機酸、抑制劑以及水，所述第二有機酸和/或第二無機酸在所述蝕刻輔劑中的質(zhì)量百分含量為0-20％，所述抑制劑在所述蝕刻輔劑中的質(zhì)量百分含量為2％-5％。

7.如權(quán)利要求6所述的用于銅鉬膜層的蝕刻劑，其特征在于，所述抑制劑選自取代或未取代的三唑、取代或未取代的苯并三唑、取代或未取代的咪唑、取代或未取代的苯并咪唑、取代或未取代的吡唑、取代或未取代的苯并吡唑、取代或未取代的噻唑以及取代或未取代的苯并噻唑中的至少一者。

8.一種銅鉬膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻方法包括：

提供一基板，所述基板上形成有所述銅鉬膜層，所述銅鉬膜層上形成有圖案化的光阻層，所述銅鉬膜層包括鉬膜層以及設(shè)于所述鉬膜層背離所述基板一側(cè)的銅膜層；

提供蝕刻主劑，并使用所述蝕刻主劑對所述圖案化的光阻層遮蔽下的所述銅鉬膜層進行蝕刻，其中，所述蝕刻主劑包括過氧化氫、螯合劑、第一無機酸以及水，所述螯合劑在所述蝕刻主劑中的質(zhì)量百分含量為2％-10％，所述第一無機酸在所述蝕刻主劑中的質(zhì)量百分含量為1％-10％，所述過氧化氫在所述蝕刻主劑中的質(zhì)量百分含量為4％-10％；以及

剝離去除所述圖案化的光阻層。

9.如權(quán)利要求8所述的銅鉬膜層的蝕刻方法，其特征在于，在使用所述蝕刻主劑對所述圖案化的光阻層遮蔽下的所述銅鉬膜層進行蝕刻時還包括以下步驟：

持續(xù)檢測所述蝕刻主劑中的銅離子的含量；

當(dāng)所述蝕刻主劑中的所述銅離子的含量到達閾值時，在所述蝕刻主劑中加入蝕刻輔劑，所述蝕刻輔劑包括：第二有機酸和/或第二無機酸、抑制劑以及水，所述第二有機酸和/或第二無機酸在所述蝕刻輔劑中的質(zhì)量百分含量為0-20％，所述抑制劑在所述蝕刻輔劑中的質(zhì)量百分含量為2％-5％，所述蝕刻輔劑的加入質(zhì)量為加入前蝕刻劑質(zhì)量的4％-10％。

10.如權(quán)利要求9所述的銅鉬膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述閾值包括至少三個子閾值，至少三個所述子閾值的數(shù)值大小呈等差數(shù)列排布。