[發明專利]一種硅片電泳前的處理方法

有效

• 申請號: 202011234593.X
• 申請日: 2020-11-07
• 公開（公告）號: CN112289678B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 陳宏胤
• 申請（專利權）人: 揚州虹揚科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京文苑專利代理有限公司 11516
• 代理人: 王怡

本發明公開了一種硅片電泳前的處理方法，包括：取燒完膠的硅片，在硫酸、雙氧水溶液中處理6～10min，流動水沖洗5～10min，在混合酸溶液中處理1～3min，流動水沖洗5～10min，純水靜止超聲15～20min，最后一級純水電阻率沖水水阻值≥10MΩcm以上。本發明能夠徹底清潔硅片溝槽，降低了產品的漏電流值，還使鳥嘴不尖銳，從而使得產品的品質、信賴性得到提升。

技術領域

本發明屬于硅片清洗技術領域，具體涉及一種硅片電泳前的處理方法。

背景技術

電泳前硅片的清洗處理對硅片的電性尤為重要，現傳統工藝采用的是1號液和2號液對硅片進行清洗，而1號液和2號液需要加熱，且使用的酸量較多，因此對酸使用安全尤為重要。1號液和2號液只對硅片表面進行清洗，無法對晶粒的鳥嘴進行處理，電泳后由于鳥嘴的尖銳，使電泳玻璃的包裹厚度要求很高，否則晶粒容易出現尖角“打火”，使晶粒打壞。

因此，如何將鳥嘴包裹好，防止出現尖角“打火”的現象，使產品品質得到提升及穩定，成為本領域迫切需要解決的技術問題。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種硅片電泳前的處理方法，本方法將硅片溝槽清洗干凈，降低了產品的漏電流值，還使鳥嘴不尖銳，從而使得產品的品質、信賴性得到提升。

本發明提供了如下的技術方案：

一種硅片電泳前的處理方法，包括如下步驟：取燒完膠的硅片，在硫酸、雙氧水溶液中處理6～10min，流動水沖洗5～10min，在混合酸溶液中處理1～3min，流動水沖洗5～10min，純水靜止超聲15～20min，最后一級純水電阻率沖水水阻值≥10MΩcm以上。

進一步，硫酸與雙氧水溶液的體積比為10:1，溫度為110～130℃；所述硫酸溶液，級別為電子級，濃度為98％；所述的雙氧水的級別為電子級。

進一步，所述混合酸溶液由硝酸、氫氟酸、乙酸按照體積比為4～6：1～3：3～5組成，溫度為20～30℃。

進一步，硝酸、氫氟酸、乙酸的級別均為電子級。

進一步，純水靜止超聲15～20min，振幅為15～25mV。

進一步，所述純水指不含雜質的H₂O。

本發明的有益效果：

本發明采用的是硫酸配合雙氧水、混合酸配合的處理方案，硫酸對燒完膠的硅片溝槽進行清洗后，混合酸對硅片溝槽進行輕微腐蝕清洗，且混合酸對晶粒的鳥嘴進行打磨，使尖銳的鳥嘴得到改善，使之“鈍”化，這樣給電泳帶來方便，玻璃可以更好的將鳥嘴包裹好，防止出現尖角“打火”的現象，使產品品質得到提升及穩定。

具體實施方式

以下對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

實施例1

取燒完膠的硅片，硫酸、雙氧水溶液比列為10:1，溫度為120℃，在硫酸、雙氧水溶液中處理7min，流動水沖洗8min，在混合酸溶液中處理1min，所述混合酸由硝酸、氫氟酸、乙酸體積比4：4：3組成，溫度為25℃。流動水沖洗6min，純水靜止超聲16min，振幅在16mV，最后一級純水電阻率沖水水阻值為11MΩcm(最后一級水阻值指的出水口純水電阻率的值，下同)。84mil此產品的IR平均為0.032μA，本方法將硅片溝槽清洗干凈，降低了產品的漏電流值，還使鳥嘴不尖銳，從而使得產品的品質、信賴性得到提升。本發明方法簡單，且使產品性能得到提升。

實施例2