[發(fā)明專利]一種硅片電泳前的處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011234593.X | 申請日： | 2020-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN112289678B | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳宏胤 | 申請（專利權(quán)）人： | 揚(yáng)州虹揚(yáng)科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京文苑專利代理有限公司 11516 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 225000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 硅片 電泳 處理 方法 | ||
1.一種硅片電泳前的處理方法，其特征在于，包括如下步驟：取燒完膠的硅片，在硫酸、雙氧水溶液中處理6～10min，流動水沖洗5～10min，在混合酸溶液中處理1～3min，流動水沖洗5～10min，純水靜止超聲15～20min，最后一級純水電阻率沖水水阻值≥10MΩcm以上；
硫酸與雙氧水溶液的體積比例為10:1，溫度為110～130℃；硫酸溶液的級別為電子級，濃度為98%；雙氧水的級別為電子級；
所述混合酸溶液由硝酸、氫氟酸、乙酸按照體積比為4～6：1～3：3～5組成，溫度為20～30℃；
硫酸、雙氧水溶液對燒完膠的硅片溝槽進(jìn)行清洗后，混合酸溶液對硅片溝槽進(jìn)行輕微腐蝕清洗，且混合酸對晶粒的鳥嘴進(jìn)行打磨，使尖銳的鳥嘴得到改善。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，硝酸、氫氟酸、乙酸的級別均為電子級。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，純水靜止超聲15～20min，振幅為15～25mV。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述處理方法，其特征在于，所述純水指不含雜質(zhì)的H2O。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
