[發(fā)明專利]一種渦流和聲阻抗檢測傳感器及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011233452.6 | 申請日: | 2020-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN112326782B | 公開(公告)日: | 2022-06-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林俊明;沈建中;戴永紅;張碧星;盧超;吳曉瑜;宋凱 | 申請(專利權(quán))人: | 愛德森(廈門)電子有限公司;中國科學院聲學研究所;南昌航空大學 |
| 主分類號: | G01N27/90 | 分類號: | G01N27/90;G01N29/09 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361008 福建省廈*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 渦流 和聲 阻抗 檢測 傳感器 及其 制作方法 | ||
1.一種渦流和聲阻抗檢測傳感器,其特征在于檢測傳感器(33)包括壓電晶片(334)、以及包覆于壓電晶片(334)的上金屬膜層(332)和下金屬膜層(333),其中,所述下金屬膜層(333)設置為刻制而成的平面螺旋線狀的渦流線圈(335),通過設置于檢測傳感器(33)的中心通孔(331)引出電連接引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種渦流和聲阻抗檢測傳感器,其特征在于所述的檢測傳感器(33)為圓柱體結(jié)構(gòu),通孔(331)設置于檢測傳感器(33)的中心軸位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種渦流和聲阻抗檢測傳感器,其特征在于所述的上金屬膜層(332)設置為刻制而成的平面螺旋線狀的漏磁線圈(336)。
4.一種渦流和聲阻抗檢測裝置,用于金屬和非金屬復合材料(1)中的金屬層(11)和非金屬層(12)進行無損檢測,包括檢測儀器(2)和檢測探頭(3),其特征在于所述檢測探頭(3)包括設置于探頭外殼(31)內(nèi)、通過檢測探頭內(nèi)部中心引線(32)連接于檢測儀器(2)的檢測傳感器(33),其中檢測傳感器(33)包括壓電晶片(334)、以及包覆于壓電晶片(334)的上金屬膜層(332)和下金屬膜層(333),所述下金屬膜層(333)設置為刻制而成的平面螺旋線狀的渦流線圈(335),通過設置于檢測傳感器(33)的中心通孔(331)引出電連接引線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種渦流和聲阻抗檢測裝置,其特征在于所述的檢測傳感器(33)為圓柱體結(jié)構(gòu),通孔(331)設置于檢測傳感器(33)的中心軸位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種渦流和聲阻抗檢測裝置,其特征在于所述的上金屬膜層(332)設置為刻制而成的平面螺旋線狀的漏磁線圈(336)。
7.一種渦流和聲阻抗檢測傳感器的制作方法,用于金屬和非金屬復合材料(1)中的金屬層(11)和非金屬層(12)進行無損檢測,其特征在于檢測傳感器(33)包括壓電晶片(334)、以及包覆于壓電晶片(334)的上金屬膜層(332)和下金屬膜層(333),其中,所述下金屬膜層(333)設置為刻制而成的平面螺旋線狀的渦流線圈(335),通過設置于檢測傳感器(33)的中心通孔(331)引出電連接引線,具體制作方法步驟如下:
a.制作常規(guī)壓電晶片:將薄片狀的陶瓷晶片的上下兩面鍍上金屬膜層,制作成常規(guī)的壓電晶片;
b. 金屬膜層線圈刻制:選擇使用金屬膜光刻或者金屬膜蝕刻技術(shù),將a步驟中的金屬鍍膜雕刻成平面螺旋狀線圈;
c. 引線孔打磨:將b步驟中的形成的壓電晶片中心打磨成一小型通孔;
d. 引線制作:下表面金屬膜層雕刻的平面螺旋狀線圈的中心節(jié)點引出電連接引線。
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