[發明專利]一種氧化銦錫合金靶材的制備方法

在審

• 申請號: 202011233273.2
• 申請日: 2020-11-06
• 公開（公告）號: CN114436642A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 黃永香
• 申請（專利權）人: 湖南七點鐘文化科技有限公司
• 主分類號: C04B35/457
• 分類號: C04B35/457;C04B35/01;C04B35/622;C04B35/645;C23C14/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉

本發明提供了一種氧化銦錫合金靶材的制備方法，包括以下步驟：A)將氧化銦和氧化錫置于真空滾動混料機中混合，得到混合物；B)將所述混合物抽真空后冷等靜壓，得到粗坯，將所述粗坯進行二次壓制，得到合金靶材生坯；C)將合金靶材生坯進行真空熱壓燒結，得到氧化銦錫合金靶材粗品；D)將所述氧化銦錫合金靶材粗品進行退火，將步驟A)的混合物等離子噴涂至退火后的氧化銦錫合金靶材粗品表面，得到氧化銦錫合金靶材。本申請制備了具有組織均勻晶粒細小、高耐熱沖擊性能的氧化銦錫合金靶材，該種合金靶材作為旋轉靶真空鍍膜，可得到高電阻、抗電磁干擾、防靜電、抗磨損的優質薄膜，可增加膜層的均勻性，提高靶材的利用率。

技術領域

本發明涉及合金靶材技術領域，尤其涉及一種氧化銦錫合金靶材的制備方法。

背景技術

真空鍍膜技術是一種材料合成與加工的新技術，是表面工程技術領域的重要組成部分。隨著全球制造業高速發展，真空鍍膜技術應用越來越廣泛。從半導體集成電路、LED、顯示器、觸摸屏、太陽能光伏、化工以及制藥等行業的發展來看，真空鍍膜技術的產品涉及眾多，包括制造大規模集成電路的電學膜，數字式縱向與橫向均可磁化的數據紀錄儲存膜，充分展示和應用各種光學特性的光學膜，計算機顯示用的感光膜，TFT、PDP平面顯示器上的導電膜和增透膜，建筑、汽車行業上應用的玻璃鍍膜和裝飾膜，包裝領域用防護膜、阻隔膜，裝飾材料上具有各種功能裝飾效果的功能膜，工、模具表面上應用的耐磨超硬膜以及納米材料研究方面的各種功能性薄膜等，這些膜的要求越來越高，因此對真空鍍膜設備、技術、材料需求都在不斷增加，同時，隨著工業技術的不斷發展，對材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環境下工作機械的性能要求。

國內真空離子鍍膜機經過幾十年的發展，相對于國外高端鍍膜設備而言，在自動化程度與技術上取得了一定的進步，但在鍍膜產品穩定性和精確性方面尚需提升。真空鍍膜的高性價比以及傳統電鍍對環境的污染迫使真空鍍膜成為了主流，各種類型各種鍍膜工藝的真空鍍膜設備不斷增加。銦錫合金是以鈦為基加入其他元素組成的合金；銦錫有兩種同質異晶體：231.89℃。高硬度高電阻薄膜具有防靜電、防輻射、防磁干憂、高亮度、高對比度的優點，是眾多行業基本材料之一，因此被廣泛應用于太陽能電池、液晶顯示器和等離子顯示器領域。近年來，伴隨著高檔顯示器的快速發展，銦錫合金旋轉靶材成為制備高硬度高電阻薄膜的重要材料。高硬度高電阻靶材的核心技術難點在于成型過程中的開裂以及燒結過程中均勻性控制。

發明內容

本發明解決的技術問題在于提供一種氧化銦錫合金靶材的制備方法，本申請提供的合金靶材具有組織均勻晶粒細小，高耐熱沖擊等性能，可適用于大面積高硬度高電阻薄膜的生產。

有鑒于此，本申請提供了一種氧化銦錫合金靶材的制備方法，包括以下步驟：

A)將氧化銦和氧化錫置于真空滾動混料機中混合，得到混合物；

B)將所述混合物抽真空后冷等靜壓，得到粗坯，將所述粗坯進行二次壓制，得到合金靶材生坯；

C)將合金靶材生坯進行真空熱壓燒結，得到氧化銦錫合金靶材粗品；

D)將所述氧化銦錫合金靶材粗品進行退火，將步驟A)的混合物等離子噴涂至退火后的氧化銦錫合金靶材粗品表面，得到氧化銦錫合金靶材。

優選的，步驟A)中，所述氧化銦和氧化錫的質量比為(6～8)：(2～4)，所述氧化銦的費氏平均粒度為1～7μm，氧化錫的費氏平均粒度為1～7μm。

優選的，步驟B)中，所述冷等靜壓的壓力為10～60MPa，所述二次壓制的壓力為50～200MPa，所述合金靶材生坯的密度為相對密度98％。

優選的，步驟C)中，所述真空熱壓燒結在氫氣保護氛圍下進行，壓力為20～30MPa，溫度為200～300℃。

優選的，步驟D)中，等離子噴涂之前還包括：

將步驟A)的混合物球磨后過篩。