[發明專利]芯片連體覆晶封裝方法及產品在審
| 申請號: | 202011232374.8 | 申請日: | 2020-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN112331567A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 周猛 | 申請(專利權)人: | 蘇州日月新半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 215021 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 連體 封裝 方法 產品 | ||
本申請涉及芯片連體覆晶封裝方法及產品。具體而言,本申請提供一種覆晶封裝方法,包含:切割晶圓以形成多個芯片單元,其中所述多個芯片單元中的每一者包含多個芯片;將所述多個芯片單元經由芯片焊球覆晶鍵合至基板;以及將所述多個芯片單元和所述基板塑封并切割以形成覆晶封裝成品。
技術領域
本申請大體涉及覆晶封裝技術,且更具體來說涉及芯片連體覆晶封裝方法及產品。
背景技術
在半導體產業內,覆晶(flip chip)封裝技術是封裝領域的一次革新,且越來越多的應用在封裝領域。與一般的封裝技術相比,覆晶封裝技術的主要區別在于將芯片鍵合(die bonder)與引線鍵合(wire bonder)這兩個工藝制程或站別整合在一起,從而簡化了封裝前道的生產工藝并有效地提高了封裝效率和成品良率。
芯片尺寸(die size)日趨輕薄短小,使得覆晶封裝技術也在面臨日益嚴峻的技術挑戰。例如,芯片尺寸現已縮減至0.5×0.5mm2以下(此種小尺寸芯片亦可稱作晶粒),導致這種芯片下方僅能容納至多兩個焊球(例如,錫球)。然而,現有覆晶封裝技術受其本身工藝影響存在一個不可逾越的門檻,即芯片面積必須大于0.5×0.5mm2。一旦小于該面積,芯片在現有覆晶封裝過程中極易因其下方焊球數量過少而發生傾斜。
有鑒于此,本領域迫切需要提供改進方案以解決上述問題。
發明內容
本申請的實施例通過提供一種芯片連體覆晶封裝方法以試圖在至少某種程度上解決至少一種存在于相關領域中的問題,并相應地提供一種使用該芯片連體覆晶封裝方法所制備的覆晶封裝產品。
在一個實施例中,本申請提供了一種覆晶封裝方法,包含:切割晶圓以形成多個芯片單元,其中所述多個芯片單元中的每一者包含多個芯片;將所述多個芯片單元經由芯片焊球覆晶鍵合至基板;以及將所述多個芯片單元和所述基板塑封并切割以形成覆晶封裝成品。
根據本申請的實施例,其中所述多個芯片單元所包含的芯片數目為偶數個。
根據本申請的實施例,其中所述多個芯片單元所包含的芯片數目是相同的。
根據本申請的實施例,其中所述多個芯片單元中的芯片具有不同的排布方式和/或芯片尺寸。
根據本申請的實施例,其中當所述芯片焊球的數量為1時,所述多個芯片單元中的每一者所包含的芯片數量為至少四個。
根據本申請的實施例,其中當所述芯片焊球的數量為2時,所述多個芯片單元中的每一者所包含的芯片數量至少為兩個。
根據本申請的實施例,其中所述切割包含使用成品切割刀沿所述多個芯片單元之間的間隙切割,并使用晶圓切割刀沿所述多個芯片單元內的所述芯片之間的間隙切割。
根據本申請的實施例,其進一步包含先使用所述晶圓切割刀切割,再使用所述成品切割刀切割。
根據本申請的實施例,其進一步包含先使用所述成品切割刀切割,再使用所述晶圓切割刀切割。
根據本申請的實施例,其中所述芯片的芯片面積小于等于0.5×0.5mm2。
根據本申請的實施例,其中所述焊球為錫球。
在一個實施例中,本申請提供了一種覆晶封裝產品,其包含:基板;芯片,其經由芯片焊球覆晶鍵合至基板;塑封膠,其包封所述芯片,并暴露所述芯片的至少一個側表面。
本申請實施例的額外層面及優點將部分地在后續說明中描述、顯示、或是經由本申請實施例的實施而闡釋。
附圖說明
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州日月新半導體有限公司,未經蘇州日月新半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011232374.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種廢棄包裝紙箱處理的抓鉤裝置
- 下一篇:一種知識產權年審監控系統
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





